發(fā)布時(shí)間：2017-12-17 16:15

  本文關(guān)鍵詞：小數(shù)頻綜中抗輻照數(shù)字電路的研究與設(shè)計(jì)

  更多相關(guān)文章： 抗輻照 雙邊上電復(fù)位 雙互鎖存儲單元 小數(shù)分頻 ∑-△調(diào)制器

【摘要】：隨著信息技術(shù)的發(fā)展,工作在空間輻射環(huán)境下的設(shè)備成為研究的熱點(diǎn)。而作為空間無線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件,抗輻照頻率綜合器的研究具有重要意義。本文主要對小數(shù)頻率綜合器中的小數(shù)分頻器及相關(guān)數(shù)字電路開展研究與設(shè)計(jì),包括∑-A調(diào)制器、可編程多模分頻器、上電復(fù)位電路和SPI。為提高輻射耐受性,結(jié)合雙邊復(fù)位、位線分離、三模冗余技術(shù),提出了雙邊復(fù)位上電電路和抗輻照加固雙互鎖存儲單元(DICE)觸發(fā)器。本文采用∑-△調(diào)制器,并增加Dither和Notch模塊以減小雜散,并利用Matlab-Simulink進(jìn)行行為級建模并仿真。可編程多模分頻器采用SCL結(jié)構(gòu)2/3預(yù)分頻器、可編程計(jì)數(shù)器和吞咽計(jì)數(shù)器。為進(jìn)-步增強(qiáng)抗輻照性能,∑-△調(diào)制器、可編程計(jì)數(shù)器和脈沖計(jì)數(shù)器、SPI均采用本文設(shè)計(jì)的抗輻照加固DICE結(jié)構(gòu)觸發(fā)器。本文采用TSMC 0.18μm工藝進(jìn)行原理圖及版圖的實(shí)現(xiàn)及仿真,上電復(fù)位電路、DICE結(jié)構(gòu)觸發(fā)器、可編程多模分頻器利用Cadence Virtuoso平臺實(shí)現(xiàn),∑-△調(diào)制器和SPI采用綜合自動布局布線流程實(shí)現(xiàn)。對芯片進(jìn)行基本電性能測試,結(jié)果表明本文設(shè)計(jì)的基于∑-△調(diào)制器的小數(shù)分頻器在參考頻率為40MHz時(shí),1.2GHz-2.4GHz范圍內(nèi)能實(shí)現(xiàn)30～60分頻,并且有效抑制雜散,POR和SPI工作正常；對芯片進(jìn)行單粒子試驗(yàn),結(jié)果表明LET為37.2MeV·cm2·mg-1時(shí)電路正常工作,抗輻照性能良好,滿足系統(tǒng)指標(biāo)要求。因此本文設(shè)計(jì)的芯片可用于航空航天領(lǐng)域。
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN79;V443.1

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本文編號：1300739