基于動態(tài)功耗的流水線優(yōu)化方法研究
發(fā)布時間:2017-12-12 21:21
本文關鍵詞:基于動態(tài)功耗的流水線優(yōu)化方法研究
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【摘要】:流水線設計中通過增加寄存器可將毛刺進行隔離,從而降低節(jié)點的轉換密度,實現動態(tài)功耗的優(yōu)化,但是增加寄存器在減少毛刺的同時,不僅會增加資源消耗,而且增加的寄存器也會增加電路中的節(jié)點數量,從而產生額外的動態(tài)功耗,通過減少毛刺降低的動態(tài)功耗與增加硬件資源產生的動態(tài)功耗二者是相互矛盾的。針對此問題,通過分析毛刺和寄存器產生的動態(tài)功耗與流水線級數的變化規(guī)律,提出了基于動態(tài)功耗的流水線優(yōu)化方法,并從理論上證明了優(yōu)化方法的有效性。利用提出的優(yōu)化方法對分形維數的計算進行優(yōu)化,實驗結果表明,利用提出的優(yōu)化方法得到的流水線的能耗是最小的,從而驗證了優(yōu)化方法的有效性。
【作者單位】: 山東理工大學計算機科學與技術學院;山東理工大學電氣與電子工程學院;
【基金】:山東省自然基金(ZR2014FP005) 博士科研啟動基金(414007)項目資助
【分類號】:TN402
【正文快照】: 1引言隨著電路集成度以及工作頻率的不斷提高使得芯片功耗迅速增加,高功耗嚴重影響芯片的散熱問題。高溫會加速硅的失效,而目前所有集成電路器件都是以硅半導體作為基本材料。工作溫度每增加10°C,元件的失效率大約翻一翻,極大地制約了電路性能的提高,影響了電路的可靠性。因
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本文編號:1284003
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