本文關(guān)鍵詞：外加條件對量子點紅外探測器暗電流特性的影響

  更多相關(guān)文章： 外加條件 量子點紅外探測器 暗電流 電子傳輸 影響分析

【摘要】：考慮微米尺度和納米尺度下電子傳輸對激發(fā)能的共同影響,基于電子漂移速度對外加電場的依賴,研究外加電場和外加溫度對量子點紅外探測器暗電流特性的影響.結(jié)果表明:外加電場在0~25kV/cm范圍內(nèi)時,暗電流模型和實驗數(shù)據(jù)變化相吻合.暗電流隨著外加電場的增加而增加,并且當(dāng)外加電場小于6kV/cm時暗電流增加迅速,而當(dāng)外加電場大于6kV/cm時暗電流增加緩慢.暗電流隨著外加溫度的增加迅速增加.該研究為量子點紅外探測器的優(yōu)化設(shè)計和性能提高提供了理論參考.
【作者單位】： 武警工程大學(xué)理學(xué)院;西藏民族大學(xué)教育學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.61307121) 武警工程大學(xué)基礎(chǔ)研究基金(No.WJY201405);武警工程大學(xué)軍事理論研究課題(Nos.JLX201518;JLX201519) 西藏民族大學(xué)青年學(xué)人培育計劃項目(No.14myQP01)資助~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： 0引言量子點紅外探測器(Quantum Dot InfraredPhotodetector,QDIP)可以克服量子阱紅外探測器紅外響應(yīng)區(qū)較窄,不能直接探測垂直入射紅外輻射的缺點,此外,它還具有低暗電流、高光電導(dǎo)增益、高響應(yīng)率、高靈敏度和高探測率等優(yōu)點,目前已受到人們的廣泛關(guān)注,成為國內(nèi)外紅外探測技術(shù)

【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 劉紅梅;董麗娟;石云龍;;量子點紅外探測器的性能優(yōu)化[J];山西大同大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2014年04期

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 劉紅梅;量子點紅外探測器特性表征方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

2 白宏剛;量子點紅外探測器暗電流及噪聲特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 潘濤;縱向PIN型Ge/Si量子點紅外探測器暗電流特性的模擬研究[D];云南大學(xué);2015年

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張樹鈞;;氧化鉛靶的暗電流[J];真空電子技術(shù);1986年03期

2 張聞文;陳錢;;基于周期反轉(zhuǎn)模式的表面暗電流抑制[J];光學(xué)學(xué)報;2008年07期

3 RAYMOND A. MILANO ,鄭垣蜀;超低暗電流異質(zhì)結(jié)電荷耦合器件[J];半導(dǎo)體光電;1983年02期

4 劉鳳敏,宋珍,甘潤今;減小ITO/PTCDA/P-Si/Al型光電探測器暗電流的方法[J];北京機械工業(yè)學(xué)院學(xué)報;2005年01期

5 黃松壘;張偉;黃張成;方家熊;;基于輸入失調(diào)補償?shù)陌惦娏饕种谱x出電路研究[J];半導(dǎo)體光電;2011年03期

6 尹憲華;;四個實驗室獲得壓縮光[J];激光與光電子學(xué)進展;1987年07期

7 熊經(jīng)武;朱建文;劉淑娥;;線陣CCD暗電流和靈敏度實時校正[J];光學(xué)機械;1985年06期

8 祁夭佑;低噪聲Ge—APD[J];半導(dǎo)體光電;1988年02期

9 全知覺;李志鋒;胡偉達(dá);葉振華;陸衛(wèi);;光伏型碲鎘汞長波探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究[J];紅外與毫米波學(xué)報;2007年02期

10 齊哲明;陳海清;李俊;;紅外四象限探測器暗電流自動測量技術(shù)研究[J];光學(xué)與光電技術(shù);2006年01期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條

1 黃松壘;張偉;黃張成;方家熊;;基于輸入失調(diào)補償?shù)陌惦娏饕种谱x出電路研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2010年光學(xué)大會論文集[C];2010年

2 王晨晟;趙治亞;張智杰;洪普;;InAs/GaAs量子點紅外探測器暗電流模型研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2010年光學(xué)大會論文集[C];2010年

3 趙永林;李獻(xiàn)杰;蔡道民;周洲;郭亞娜;韓麗麗;;AlGaAs/GaAs多量子阱紅外探測器暗電流特性[A];2006年全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會會議文集（E 光電子器件技術(shù)專題）[C];2006年

4 段友峰;張化朋;米鳳文;;一種改善CCD信噪比的方法[A];光電技術(shù)與系統(tǒng)文選——中國光學(xué)學(xué)會光電技術(shù)專業(yè)委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術(shù)與系統(tǒng)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2005年

5 陳凱;何振江;陳智瑜;;CPM微光探測特性研究[A];中國光學(xué)學(xué)會2006年學(xué)術(shù)大會論文摘要集[C];2006年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 曾巧玉;InGaAs/InP單光子雪崩光電二級管的制備及研究[D];中國科學(xué)院研究生院（上海技術(shù)物理研究所）;2014年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 姚德新;基于針—針電極場致電離暗電流的濕度測量[D];南京信息工程大學(xué);2015年

2 劉佰清;延展波長In_xGa_(1-x)As/InP PIN紅外探測器的暗電流機制研究[D];南京大學(xué);2014年

3 王志偉;降低硅基微元陣APD暗電流結(jié)構(gòu)優(yōu)化的研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

4 林永濤;PSD綜合性能檢測系統(tǒng)的研制[D];浙江大學(xué);2012年

，

本文編號：1270734