本文關(guān)鍵詞：無結(jié)場效應(yīng)管——新興的后CMOS器件研究進展

  更多相關(guān)文章： 摩爾定律 CMOS器件 無結(jié)場效應(yīng)管 量子阱場效應(yīng)晶體管 碳納米管場效應(yīng)晶體管 石墨烯場效應(yīng)晶體管 二維半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 真空溝道場效應(yīng)管

【摘要】：迄今為止,現(xiàn)有的晶體管都是基于PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來的幾年里,CMOS制造技術(shù)的進步將導(dǎo)致器件的溝道長度小于10nm。在這么短的距離內(nèi),為使器件能夠工作,將不得不采用非常高的摻雜濃度梯度。進入納米領(lǐng)域,常規(guī)CMOS器件所面臨的許多問題都與PN結(jié)相關(guān),傳統(tǒng)的按比例縮小將不再足以繼續(xù)通過制造更小的晶體管而獲得器件性能的提高。半導(dǎo)體工業(yè)界正在努力從器件幾何形狀,結(jié)構(gòu)以及材料方面尋求新的解決方案。文中研究了無結(jié)場效應(yīng)器件制備工藝技術(shù)及其進展,這些器件包括半導(dǎo)體無結(jié)場效應(yīng)晶體管、量子阱場效應(yīng)晶體管、碳納米管場效應(yīng)晶體管、石墨烯場效應(yīng)晶體管、硅烯場效應(yīng)晶體管、二維半導(dǎo)體材料溝道場效應(yīng)晶體管和真空溝道場效應(yīng)管等。這些器件有可能成為適用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點乃至按比例縮小的終極器件。
【作者單位】： 上海新f半導(dǎo)體科技有限公司;
【基金】：國家科技重大專項資助項目(2015ZX02401)
【分類號】：TN386
【正文快照】： ***引言1949年肖克萊(W.B.Shockley)提出少子(少數(shù)載流子)在半導(dǎo)體中的注入和遷移的PN結(jié)理論以及基于PN結(jié)的雙極型晶體管(BJT)器件結(jié)構(gòu)[1]。1960年,貝爾實驗室的D.Kahng和M.Atalla發(fā)明并首次制作成功金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MOSFET的發(fā)明也是基于PN結(jié)理論[2-

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 Paul O’Shea;;研究者用碳60制造出高性能場效應(yīng)晶體管[J];今日電子;2008年04期

2 江興;;研究者用碳60制造出高性能場效應(yīng)晶體管[J];半導(dǎo)體信息;2008年04期

3 孫再吉;;碳60制作的高性能場效應(yīng)晶體管[J];半導(dǎo)體信息;2008年05期

4 ;科學(xué)家開發(fā)新超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管[J];光機電信息;2011年05期

5 鄭冬冬;;美研制出新式超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管[J];半導(dǎo)體信息;2011年03期

6 武建國;;貼片場效應(yīng)晶體管工作原理及檢測(上)[J];家電檢修技術(shù);2011年21期

7 武建國;;貼片場效應(yīng)晶體管工作原理及檢測(下)[J];家電檢修技術(shù);2011年23期

8 ;美科學(xué)家構(gòu)造出一個超薄超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗;2012年06期

9 徐烽;;作開關(guān)用的場效應(yīng)晶體管[J];半導(dǎo)體情報;1971年01期

10 David M.Miller ,Robert G.Meyer ,余玉龍;場效應(yīng)晶體管的非線性與交擾調(diào)制[J];科技譯報;1972年02期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陳永真;;新型高耐壓大功率場效應(yīng)晶體管[A];新世紀(jì) 新機遇 新挑戰(zhàn)——知識創(chuàng)新和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展（上冊）[C];2001年

2 陶春蘭;董茂軍;張旭輝;張福甲;;并五苯場效應(yīng)晶體管的研制[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集（2）[C];2007年

3 張亞杰;湯慶鑫;胡文平;李洪祥;;有機-無機復(fù)合單晶場效應(yīng)晶體管[A];中國化學(xué)會第26屆學(xué)術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

4 黃學(xué)斌;朱春莉;郭云龍;張仕明;劉云圻;占肖衛(wèi);;卟啉-三并噻吩共軛聚合物的合成及其場效應(yīng)晶體管特性[A];中國化學(xué)會第26屆學(xué)術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

5 趙廣耀;董煥麗;江浪;趙華平;覃翔;胡文平;;并五苯類似物單晶場效應(yīng)晶體管及其在乙醇?xì)怏w探測中的應(yīng)用[A];第十六屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集-08納米晶體及其表征[C];2012年

6 張亞杰;董煥麗;胡文平;;基于酞菁銅有機單晶微納米帶的雙極性場效應(yīng)晶體管及化學(xué)傳感器[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學(xué)術(shù)討論會摘要集[C];2010年

7 溫雨耕;狄重安;吳衛(wèi)平;郭云龍;孫向南;張磊;于貴;劉云圻;;硫醇修飾對N-型傒酰亞胺場效應(yīng)晶體管性能的影響[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學(xué)術(shù)討論會摘要集[C];2010年

8 劉南柳;周焱;彭俊彪;裴堅;王堅;;提拉法制備圖案化有機納米線場效應(yīng)晶體管[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學(xué)術(shù)討論會摘要集[C];2010年

9 于海波;田孝軍;于鵬;董再勵;;碳納米管場效應(yīng)晶體管的自動化裝配方法研究[A];2008’“先進集成技術(shù)”院士論壇暨第二屆儀表、自動化與先進集成技術(shù)大會論文集[C];2008年

10 呂琨;狄重安;劉云圻;于貴;邱文豐;;基于并三噻吩共聚物的空氣穩(wěn)定的OFET研究[A];中國化學(xué)會第26屆學(xué)術(shù)年會有機固體材料分會場論文集[C];2008年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 記者 劉霞;美研制出新式超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管[N];科技日報;2011年

2 劉霞;隧道場效應(yīng)晶體管可為計算機節(jié)能99%[N];科技日報;2011年

3 記者 吳長鋒 通訊員 楊保國;我科學(xué)家成功制備二維黑磷場效應(yīng)晶體管[N];科技日報;2014年

4 湖南 黃金貴 編譯;場效應(yīng)晶體管傳感器的偏置點電路[N];電子報;2013年

5 成都 史為 編譯;場效應(yīng)晶體管和晶體三極管[N];電子報;2013年

6 張弛;芯片巨頭合力研究“零待機”芯片[N];網(wǎng)絡(luò)世界;2011年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 肖永光;鐵電場效應(yīng)晶體管的保持性能與負(fù)電容效應(yīng)研究[D];湘潭大學(xué);2013年

2 劉林盛;場效應(yīng)晶體管的大信號模型研究[D];電子科技大學(xué);2011年

3 劉一陽;并五苯類有機小分子場效應(yīng)晶體管材料的合成與器件制備[D];蘭州大學(xué);2010年

4 塔力哈爾·夏依木拉提;酞菁銅單晶微納場效應(yīng)晶體管在氣體傳感器中的應(yīng)用基礎(chǔ)研究[D];東北師范大學(xué);2013年

5 陶春蘭;并五苯性質(zhì)的研究及其場效應(yīng)晶體管的研制[D];蘭州大學(xué);2009年

6 蔡彬;新型氧化錫微納單晶場效應(yīng)晶體管的設(shè)計及其在氣體傳感領(lǐng)域中的應(yīng)用[D];東北師范大學(xué);2014年

7 王偉;有機薄膜場效應(yīng)晶體管、發(fā)光和顯示驅(qū)動[D];吉林大學(xué);2006年

8 焦廣泛;隧穿場效應(yīng)晶體管和InGaAs場效應(yīng)晶體管的可靠性研究[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

9 楊茹;垂直溝道偶載場效應(yīng)晶體管（VDCFET）的研究[D];北京師范大學(xué);2004年

10 李建豐;有機功能材料蒽偶低聚物的合成及其場效應(yīng)晶體管的研究[D];蘭州大學(xué);2009年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 田小婷;GaSb/InAs異質(zhì)結(jié)隧穿場效應(yīng)晶體管的性能分析[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2015年

2 曹露雅;有機雙極型薄膜場效應(yīng)晶體管的制備和應(yīng)用[D];蘭州大學(xué);2015年

3 鄒素芬;新型有機小分子場效應(yīng)晶體管器件的制備及性能研究[D];杭州師范大學(xué);2015年

4 史柯利;聚合物場效應(yīng)晶體管的制備以及性能研究[D];北京化工大學(xué);2015年

5 李圣威;三柵場效應(yīng)晶體管（FinFET）電學(xué)特性的建模與仿真[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

6 陳玉成;基于并五苯的有機光敏場效應(yīng)晶體管的性能研究[D];電子科技大學(xué);2014年

7 秦亞;基于鐵電場效應(yīng)晶體管的基本門電路及靈敏放大器的TCAD模擬[D];湘潭大學(xué);2015年

8 吳傳祿;電離輻射對MFIS型鐵電場效應(yīng)晶體管電學(xué)性能的影響[D];湘潭大學(xué);2015年

9 彭龍;雙柵隧穿場效應(yīng)晶體管的模型研究[D];湘潭大學(xué);2015年

10 李凱;基于鐵電場效應(yīng)晶體管的查找表的設(shè)計與仿真[D];湘潭大學(xué);2015年

，

本文編號：1257177