本文關(guān)鍵詞：一種低電壓低功耗高PSRR CMOS基準(zhǔn)電路

  更多相關(guān)文章： 基準(zhǔn)電壓 低電壓 低功耗 高PSRR 工藝角

【摘要】：設(shè)計了一種工作在亞閾值區(qū)的高精度、低電壓、低功耗CMOS基準(zhǔn)電路。電路采用0.18μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn),在1.2V電源電壓下,輸出202mV的基準(zhǔn)電壓,在-40℃~130℃范圍內(nèi)的溫度系數(shù)為6.5×10-5/℃,消耗2.46μA電流。電源電壓從1.1V變化到3.6V時,輸出基準(zhǔn)電壓僅變化0.336mV。該基準(zhǔn)電路的電源電壓抑制比(PSRR)在直流處達(dá)到-93dB,10MHz處達(dá)到-63dB。設(shè)計了一種多路快速啟動電路,只需13μs即可完成啟動。利用高閾值電壓晶體管與普通閾值電壓晶體管的Vth之差作為負(fù)溫度系數(shù)電壓源,使輸出基準(zhǔn)電壓對工藝角不敏感。
【作者單位】： 華東師范大學(xué)微電子電路與系統(tǒng)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61306034,61302005) 上海市科委資助項目(14DZ2260800)
【分類號】：TN432
【正文快照】： 1引言近年來,依靠電池供電的便攜式電子設(shè)備(如手機(jī)、筆記本電腦和數(shù)碼相機(jī)等)的廣泛應(yīng)用使得低電壓和低功耗成為現(xiàn)代集成電路設(shè)計的兩個重要標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)電路作為模擬和混合信號系統(tǒng)的關(guān)鍵模塊之一,需要滿足電壓低、功耗低、對電源與溫度的依賴性低等要求。在基于二極管和雙極

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 程冰;趙文欣;羅家俊;;基于SOI CMOS工藝的LDO電路設(shè)計[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年02期

2 郭文雄;李勇;胡賀偉;來新泉;;一種采用帶隙結(jié)構(gòu)的高精度電流基準(zhǔn)電路設(shè)計[J];科學(xué)技術(shù)與工程;2007年05期

3 俞振華;江建慧;;基于故障注入的基準(zhǔn)電路故障響應(yīng)分析[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2008年04期

4 苑喬;鄒光南;張勝輝;;一種基于CMOS亞閾值設(shè)計的低失調(diào)基準(zhǔn)電路[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2014年05期

5 張艷紅;陳朝陽;;測試基準(zhǔn)電路ITC’02剖析及其應(yīng)用現(xiàn)狀[J];計算機(jī)測量與控制;2006年07期

6 葛寧;;一種可使用于DCDC,LDO和Chargepump的BiCMOS基準(zhǔn)電路設(shè)計[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2007年02期

7 王家鑫;王安福;;一種新型亞閾值MOSFET電流�；鶞�(zhǔn)電路[J];鄖陽師范高等�？茖W(xué)校學(xué)報;2008年06期

8 陳修強(qiáng);田錦明;;工作于亞閾值區(qū)的偏置基準(zhǔn)電路-峰值電流鏡[J];山西電子技術(shù);2006年06期

9 盛健健;張國俊;;一種基于BCD工藝的新型5V基準(zhǔn)電路設(shè)計[J];微電子學(xué)與計算機(jī);2013年04期

10 陳建軍;陳躍躍;梁斌;;基準(zhǔn)電路中重匯聚導(dǎo)致的SET脈沖展寬效應(yīng)[J];計算機(jī)工程與科學(xué);2009年07期

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 余國義;低壓低功耗CMOS基準(zhǔn)參考源的設(shè)計[D];華中科技大學(xué);2006年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 王飛;磁卡解碼芯片中基準(zhǔn)電路的設(shè)計研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年

2 瞿美霞;CMOS帶隙基準(zhǔn)源的研究與實(shí)現(xiàn)[D];合肥工業(yè)大學(xué);2007年

3 林春;高精度流水線ADC關(guān)鍵子電路的研究設(shè)計[D];廈門大學(xué);2014年

4 李潤德;超低功耗無源超高頻射頻識別芯片射頻/模擬前端設(shè)計[D];西安電子科技大學(xué);2013年

，

本文編號：1257018