發(fā)布時間：2017-12-01 23:17

  本文關鍵詞：4H-SiCp-i-n紫外光電探測器的電容-電壓特性研究

  更多相關文章： 光電子學 H-SiC p-i-n紫外光電探測器 電容-電壓 深能級缺陷

【摘要】：分析并比較了4H-SiC p-i-n紫外光電探測器的電容-電壓(C-V)特性隨溫度和偏置電壓的變化情況,觀測到4H-SiC p-i-n結構中的深能級缺陷。結果表明:由于近零偏壓時探測器i型層已處于耗盡狀態(tài),其高頻(1 MHz)C-V特性幾乎不隨反向偏壓變化.隨著溫度升高,被熱離化的自由載流子數(shù)量增多導致高頻結電容隨之增大;探測器的低頻(100 kHz)結電容比高頻結電容具有更強的電壓和溫度依賴性,原因在于被深能級缺陷俘獲的載流子隨反向偏壓增大或隨溫度升高而被離化,從而對結電容產(chǎn)生影響.
【作者單位】： 廈門大學物理系;
【基金】：國家自然科學基金(61176049)~~
【分類號】：TN23
【正文快照】： l引言作為第三代半導體材料,4H-SiC具有禁帶寬度大(室溫下約為3.26 eV)、本征載流子濃度低(室溫下約為10-8 cm-3)、化學和熱學穩(wěn)定性高等優(yōu)點�；�4H-SiC的光電探測器的紫外-可見光抑制比高、暗電流低,可工作于高溫、高輻射等極端環(huán)境中,在紫外線檢測、環(huán)境監(jiān)測、導彈預警等

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本文編號：1242812