本文關(guān)鍵詞：用于S波段的高線性低噪聲放大器

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【摘要】：采用E-mode 0.25μm Ga As p HEMT工藝,2.0 mm×2.0 mm 8-pin雙側(cè)引腳扁平封裝,設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于S波段的噪聲系數(shù)低于0.5 d B的低噪聲放大器。通過采用共源共柵結(jié)構(gòu)、有源偏置網(wǎng)絡(luò)和多重反饋網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)改進(jìn)了電路結(jié)構(gòu),該放大器具有低噪聲,高增益,高線性等特點(diǎn),是手持終端應(yīng)用上理想的一款低噪聲放大器。測(cè)試結(jié)果表明在2.3 GHz~2.7 GHz內(nèi),增益大于18 d B,輸入回波損耗小于-10 d B,輸出回波損耗小于-16 d B,輸出三階交調(diào)點(diǎn)大于36 d B。
【作者單位】： 廣東工業(yè)大學(xué)信息工程學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN722.3
【正文快照】： 現(xiàn)代移動(dòng)通信對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率越來越高的要求使得無線通信系統(tǒng)的載波頻率普遍進(jìn)入S波段[1],包含這些通信頻段的諸多無線通信系統(tǒng),如移動(dòng)通信(WCDMA,TD-SCDMA,LTE),無線局域網(wǎng)(WLAN),和衛(wèi)星通信系統(tǒng)(GPS,BDS)等,對(duì)各自的射頻前端接收模塊提出了不同的需求�，F(xiàn)代智能手機(jī)集成了不

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1 尹亞蘭,武斌;低頻低噪聲放大器的屏蔽設(shè)計(jì)[J];電子工程師;2004年04期

2 Gurpreet Sibia;低噪聲放大器選擇[J];電子產(chǎn)品世界;2004年19期

3 曹克,楊華中,汪蕙;高線性低電壓低噪聲放大器的設(shè)計(jì)(英文)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2004年11期

4 吳國(guó)增;李榮強(qiáng);趙安邦;;射頻前端低噪聲放大器設(shè)計(jì)研究[J];重慶郵電學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2006年S1期

5 楊國(guó)敏;肖高標(biāo);;射頻低噪聲放大器電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[J];電子測(cè)量技術(shù);2006年01期

6 戴廣豪;李文杰;王生榮;李競(jìng)春;楊謨?nèi)A;;一種新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪聲放大器[J];微電子學(xué);2006年05期

7 朱丹;陶成;夏澎;;增益可調(diào)的高性能低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[J];鐵路計(jì)算機(jī)應(yīng)用;2006年11期

8 黃華;張海英;楊浩;尹軍艦;朱e，

本文編號(hào)：1234042