本文關(guān)鍵詞：二維嵌套光子晶體點(diǎn)缺陷耦合腔波導(dǎo)慢光帶寬研究

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【摘要】：在完美光子晶體晶格中嵌套半徑較小的光子晶體晶格,在中心處構(gòu)造點(diǎn)缺陷,構(gòu)成二維嵌套光子晶體點(diǎn)缺陷耦合腔。通過優(yōu)化調(diào)節(jié)點(diǎn)缺陷水平和垂直方向四個介質(zhì)柱的位置增加帶寬。利用平面波展開法進(jìn)行仿真,結(jié)果表明:可以在保證10-3c的慢光前提下,相對帶寬達(dá)到0.000 51,NDBP(歸一化延遲帶寬積)均能保持在0.34以上;當(dāng)垂直方向介質(zhì)柱位移距離為0.4 a時,NDBP值達(dá)到了0.404。與未嵌套二維光子晶體點(diǎn)缺陷耦合腔相比,速度相近時,帶寬增加了0.000 17。
【作者單位】： 江蘇大學(xué)計算機(jī)科學(xué)與通信工程學(xué)院;
【分類號】：TN252
【正文快照】： 引言慢光是實(shí)現(xiàn)光緩存的一項關(guān)鍵的技術(shù),國內(nèi)外學(xué)界對該領(lǐng)域的研究很多。實(shí)現(xiàn)慢光的方法很多,其中主要包括電磁誘導(dǎo)透明(EIT),相干布局(CPO),受激拉曼散射(SRS)、受激布里淵散射(SBS)等[1,2]。其中電磁誘導(dǎo)透明技術(shù)對實(shí)驗環(huán)境要求很高,只有在超低溫/壓下才能實(shí)現(xiàn);相干布局技術(shù)

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