本文關(guān)鍵詞：基于柵極控制的IGBT關(guān)斷過電壓研究

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【摘要】：由于線路中雜散電感以及IGBT反并聯(lián)二極管浪涌電壓的影響,IGBT在關(guān)斷過程中會產(chǎn)生過電壓尖峰。通過對IGBT關(guān)斷過程的分析,提出了一種新的IGBT過電壓抑制方法,并通過pspice仿真以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了新的過電壓抑制方法的正確性和優(yōu)勢。
【作者單位】： 湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51277060)
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 由于IGBT具有MOSFET管的驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、工作頻率較高的優(yōu)點(diǎn),同時又具有BJT的通態(tài)壓降較小、功率損耗較小的優(yōu)勢,并隨著IGBT技術(shù)的成熟和發(fā)展,IGBT作為大功率全控型器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣,例如交流電機(jī)、變流器、開關(guān)電源、牽引傳動、輕型直流輸電、風(fēng)力

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