本文關(guān)鍵詞：非硅微電子學(xué):鍺與鍺錫場效應(yīng)晶體管

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【摘要】：本文討論了非硅微電子學(xué),即在硅襯底上利用非硅溝道材料實現(xiàn)互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(Complememaw Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成電路的微電子科學(xué)與技術(shù).文章重點綜述了高遷移率鍺與鍺錫溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)以及隧穿場效應(yīng)晶體管(Tunneling Field Effect Transistor,TFET)的研究進(jìn)展.鍺與鍺錫具有比硅(Si)材料高的空穴和電子遷移率且容易實現(xiàn)硅襯底集成,是實現(xiàn)高遷移率溝道CMOS器件的理想備選材料.通過調(diào)節(jié)錫組分,鍺錫材料可實現(xiàn)直接帶隙結(jié)構(gòu),從而獲得較高的帶間隧穿幾率,理論和實驗證明可用鍺錫實現(xiàn)高性能TFET器件.本文具體分析了鍺錫MOSFETs和TFETs器件在材料生長、表面鈍化、柵疊層、源漏工程、應(yīng)變工程及器件可靠性等關(guān)鍵問題.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點資助項目(編號:61534004,61334002)
【分類號】：TN386
【正文快照】： UVWXYZA[\])*(,8)^_` JLfghi,8^_jk`lmnop qr)stuvwxw(),8yz{@|`^_}~.....=..........s..%a.~`..bc.....S...`.y....L.. ...??..w￠.]?￡¤￥yz.|§¨`fg.a,8??-?ˉ°±?23.′RS§¨xhμyzjk?^·???1@o??..%a`??.~??-?..m?={.fgbcà%aá?,8..%abc.x`jk?o??μ???RS,8yz??

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本文編號：1210560