本文關(guān)鍵詞：納米銀焊膏封裝大功率COB LED模塊的性能研究

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【摘要】：為提高大功率LED的散熱能力,采用具有更高熔點(diǎn)和更優(yōu)良的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能的納米銀焊膏作為芯片粘結(jié)材料,以Al2O3基陶瓷基板封裝COB LED模塊。同時(shí)以Sn/Ag3.0/Cu0.5和導(dǎo)電銀膠兩種粘結(jié)材料作為對(duì)比,分別在27,50,80,100,120℃等環(huán)境溫度中測(cè)試3種模塊的光電性能來評(píng)估模塊的熱管理水平;在100℃環(huán)境下進(jìn)行加速老化實(shí)驗(yàn),評(píng)估3種LED模塊的可靠性。測(cè)試結(jié)果表明,納米銀焊膏封裝的大功率LED模塊光電性能優(yōu)異,且具有較強(qiáng)的長(zhǎng)期可靠性。
【作者單位】： 天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;弗吉尼亞理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：天津市自然科學(xué)基金青年基金(13JCQNJC02400)資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 2.弗吉尼亞理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,弗吉尼亞蒙哥馬利24060)1引言隨著LED應(yīng)用市場(chǎng)的逐漸成熟,人們對(duì)大功率LED的需求越來越多。光通量是體現(xiàn)LED競(jìng)爭(zhēng)能力的關(guān)鍵參數(shù)[1]。人們采用多芯片集成陣列模塊的方法[2]使LED的光輸出能力逐年增強(qiáng),同時(shí)LED的功率和正向電流也逐漸增大

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