本文關(guān)鍵詞：納米級MOSFET亞閾值區(qū)電流特性模型

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【摘要】：基于納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件結(jié)構(gòu),從基本的漂移擴散方程出發(fā),分別建立了亞閾值區(qū)漏極電流模型和柵極電流模型。其中將頻率與偏置依賴性的影響顯式地體現(xiàn)在模型中。通過對比分析發(fā)現(xiàn)亞閾值區(qū)漏極電流模型具有等比例縮小的可行性,柵極電流具有跟隨性和頻率依賴性。同時將所建模型的仿真結(jié)果與實驗結(jié)果進行了比較,驗證了模型準確性。
【作者單位】： 西南科技大學信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(69901003)
【分類號】：TN386.1
【正文快照】： 0引言 集成電路對高集成度、低功耗和工作頻率的需求不斷提高,使得CMOS技術(shù)不斷發(fā)展。但對于產(chǎn)品設(shè)計來說,漏極電流和柵極電流作為MOS器件的重要直流參數(shù),是器件建模和仿真的難點和核心,同時能夠準確預測MOSFET高頻電流特性的物理數(shù)學模型也是至關(guān)重要的[1]。 目前對圍繞納

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前8條

1 陳宇,牛秀卿;工作在亞閾值區(qū)CMOS OTA的研究[J];南開大學學報(自然科學版);2000年01期

2 代月花;陳軍寧;柯導明;胡媛;;研究納米尺寸MOSFETs亞閾值特性的一種新方法(英文)[J];中國科學技術(shù)大學學報;2007年11期

3 代月花;陳軍寧;柯導明;;攝動法研究納米MOSFETs亞閾值特性[J];半導體學報;2007年02期

4 朱兆e，

本文編號：1209171