本文關(guān)鍵詞：絕緣柵雙極型晶體管感性負(fù)載關(guān)斷下電壓變化率的建模與仿真研究

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【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)多用于感性負(fù)載下的電力電子線路中,這導(dǎo)致了在器件關(guān)斷過程中集電極電壓上升階段時(shí)集電極電流仍然保持在額定電流值,從而造成大量的能量損耗.集電極電壓的上升過程可以看作是柵極電流對集電極與柵極之間的電容(即米勒電容)充電的過程.本文提出一種解析模型,通過計(jì)算米勒電容值隨時(shí)間的變化來預(yù)測IGBT在關(guān)斷過程中集電極電壓值的變化.在對米勒電容的計(jì)算上,不僅考慮了電容值與其端電壓之間的依賴關(guān)系,同時(shí)也考慮到關(guān)斷過程中耗盡區(qū)存在的大量載流子對電容值的影響,使得模型更加準(zhǔn)確.最后,運(yùn)用數(shù)值計(jì)算仿真軟件對絕緣柵雙極型晶體管的關(guān)斷過程進(jìn)行了模擬,對本文提出的模型進(jìn)行了驗(yàn)證.仿真結(jié)果與模型計(jì)算結(jié)果顯示出良好的一致性.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所中國科學(xué)院大學(xué);江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心;
【基金】：國家重大科技專項(xiàng)(批準(zhǔn)號:2013ZX02305-005-002) 國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:51490681) 省院合作高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)資金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號:2016SYHZ0026)資助的課題~~
【分類號】：TN322.8
【正文快照】： 1引言絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolartransistor,IGBT)常常被用于感性負(fù)載的電力電子線路中.其關(guān)斷的過程中,由于感性負(fù)載的存在,在電壓上升到母線電壓前器件集電極電流會維持在一個(gè)較高的值;同時(shí)在接下來的電流下降的過程中,IGBT的集電極電壓已經(jīng)上升到很高的值.

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本文編號：1207261