本文關鍵詞：太赫茲平面肖特基二極管參數(shù)模型

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【摘要】：根據(jù)太赫茲平面肖特基二極管物理結構,在理想二極管SPICE參數(shù)模型的基礎上建立了二極管小信號等效電路模型。依據(jù)該二極管等效電路模型設計了基于共面波導(CPW)去嵌方法的二極管S參數(shù)在片測試結構,并對其在0.1~50 GHz、75~110 GHz頻率范圍內進行了高頻小信號測試,利用測試結果提取了高頻下二極管電路模型中各部分電容、電阻以及電感參數(shù)。將相應的高頻下電容與電阻參數(shù)分別與低頻經(jīng)驗公式電容值和直流I-V測試提取的電阻值進行了對比,并利用仿真手段對高頻參數(shù)模型進行了驗證。完整的參數(shù)模型以及測試手段相較于理想二極管SPICE模型和傳統(tǒng)的參數(shù)提取方法可以更為準確地表征器件在高頻下的工作狀態(tài)。該建模思路可用于太赫茲頻段非線性電路的優(yōu)化設計。
【作者單位】： 專用集成電路國家級重點實驗室;中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】：TN311.7
【正文快照】： (1.National Key Laboratory of ASIC,Shijiazhuang 050051,China;2.The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China)0引言太赫茲肖特基二極管是由金屬-半導體接觸特性制作而成,具有強非線性、速度快、室溫工作以

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1 陳雨;范曉強;蔣勇;吳健;白立新;柏松;陳剛;李理;;4H-SiC肖特基二極管α探測器研究[J];核電子學與探測技術;2013年01期

2 陳善海;;高壓肖特基二極管[J];電子技術;1985年04期

3 唐海林;;太赫茲肖特基二極管技術研究進展[J];太赫茲科學與電子信息學報;2013年06期

4 傅恩生;肖特基二極管中磁場的超快產(chǎn)生[J];激光與光電子學進展;2003年02期

5 Andreas Lindemann;;功率半導應用專欄(連載)(七)一種新型的砷化鎵功率肖特基二極管的電氣特性[J];電源世界;2004年08期

6 羅小蓉,李肇基,張波,龔敏;6H-SiC肖特基二極管的特性研究[J];微電子學;2004年01期

7 郭文閣;張延曹;鄭建邦;任駒;;一種有機/金屬肖特基二極管的實驗研究[J];半導體學報;2006年03期

8 Michael Hallenberger;Kerstin Hubel;;面向多種電源應用的第二代碳化硅肖特基二極管[J];電子產(chǎn)品世界;2006年20期

9 段毅;馬衛(wèi)東;呂長志;李志國;;基于參數(shù)退化法評價功率肖特基二極管壽命[J];半導體技術;2009年01期

10 江興;;具有雙面冷卻功能的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管[J];半導體信息;2009年02期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 何放;陳舢;;微波肖特基二極管的優(yōu)化設計與制造[A];1993年全國微波會議論文集（下冊）[C];1993年

2 陳宇曉;唐丹;楊謨華;陳敏德;鄧君;;高速肖特基二極管取樣門建模與仿真[A];全國第五屆核儀器及其應用學術會議論文集[C];2005年

3 陳剛;陳雪蘭;柏松;李哲洋;韓平;;4H-SiC外延中的缺陷及其對肖特基二極管的影響[A];第十五屆全國化合物半導體材料，微波器件和光電器件學術會議論文集[C];2008年

4 李實;李秦龍;;一種基于肖特基二極管的預失真線性化器[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術年會論文集（上冊）[C];2013年

5 姚常飛;徐金平;;太赫茲GaAs肖特基二極管電路模型研究[A];2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2009年

6 羅小蓉;張波;李肇基;;SiC肖特基二極管的特性研究[A];展望新世紀——’02學術年會論文集[C];2002年

7 羅小蓉;張波;李肇基;;SiC肖特基二極管的特性研究[A];中國電工技術學會電力電子學會第八屆學術年會論文集[C];2002年

8 程綱;杜祖亮;;單根CuO納米線背對背肖特基二極管的非對稱輸運特性[A];中國化學會第二十五屆學術年會論文摘要集（上冊）[C];2006年

9 黃森;沈波;王茂俊;許福軍;王彥;楊海燕;林芳;秦志新;楊志堅;張國義;;Au/Ni/GaN肖特基二極管的高溫電流輸運機制研究[A];第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C];2007年

10 吳健;雷家榮;蔣勇;榮茹;;4H—SiC肖特基二極管的電荷收集率研究[A];第三屆全國核技術與應用學術研討會會議資料文集[C];2012年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 吉林 姜蘭舉;肖特基二極管原理及應用[N];電子報;2008年

2 武漢 余俊芳;部分面接觸式肖特基二極管主要特性參數(shù)與代換型號[N];電子報;2008年

3 安徽 秦軍 編譯;性能優(yōu)于肖特基二極管的極性保護器[N];電子報;2014年

4 四川 張達編譯;超小型白色LED驅動IC[N];電子報;2004年

中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 任娜;新型碳化硅功率二極管的研究[D];浙江大學;2015年

2 陳永和;氮化鎵HEMT結構肖特基二極管機理及E/D模集成電路研究[D];西安電子科技大學;2015年

3 王福學;GaN材料的缺陷分布及工藝設計對器件性能的影響研究[D];南京大學;2011年

4 劉海瑞;基于平面肖特基二極管的準光檢波器研究[D];北京郵電大學;2013年

中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 嚴林龍;非晶In-Ga-Zn-O肖特基二極管性能的研究[D];山東大學;2015年

2 韓鵬;基于肖特基二極管的太赫茲混頻器的研究[D];電子科技大學;2015年

3 周瑤;4H-SiC結勢壘肖特基二極管噪聲特性及可靠性診斷方法研究[D];西安電子科技大學;2014年

4 芮麗;耐高壓肖特基二極管的研究[D];蘭州交通大學;2015年

5 徐艷明;SiC MOSFET PSpice建模及應用[D];北京交通大學;2016年

6 王曉風;InAlN/GaN肖特基二極管電流傳輸機制研究[D];南京大學;2014年

7 李蓓;肖特基二極管相關材料生長及器件研究[D];浙江大學;2003年

8 羅小蓉;6H-SiC肖特基二極管的特性研究[D];四川大學;2001年

9 孫子茭;4H-SiC肖特基二極管的研究[D];電子科技大學;2013年

10 夭雪;4H-SiC肖特基二極管在功率因數(shù)校正電路中的應用研究[D];西安電子科技大學;2010年

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