本文關(guān)鍵詞：雙溝道層對(duì)氮摻雜非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的影響

  更多相關(guān)文章： 雙溝道層 氮?dú)鈸诫s 溫度穩(wěn)定性 薄膜晶體管

【摘要】：采用射頻磁控濺射法,在熱氧化p型硅基片上制備了雙溝道層非晶氧化銦鋅(a-IZO)和氮摻雜氧化銦鋅(a-IZON)薄膜晶體管(TFTs),并研究了雙溝道層對(duì)器件電學(xué)性能和溫度穩(wěn)定性的影響。研究發(fā)現(xiàn),a-IZO/IZON雙溝道層TFTs具有較高的場效應(yīng)遷移率,為23.26 cm2/(V?s),并且其閾值電壓相較于單層a-IZO-TFTs正向偏移。這是由于氮摻雜可以減少溝道層中的氧空位,抑制載流子濃度,使器件具有更好的閾值電壓。而a-IZO層避免了由于氮摻雜導(dǎo)致的場效應(yīng)遷移率和開態(tài)電流的下降,提升了器件的電流開關(guān)比。從298 K至423 K的器件轉(zhuǎn)移特性曲線中發(fā)現(xiàn),雙溝道層器件相較于單溝道層器件的溫度穩(wěn)定性更佳,這可歸因于a-IZON層的保護(hù)作用。氮摻雜可以減少氧在背溝道層表面的吸收/解吸反應(yīng),改善器件的穩(wěn)定性。
【作者單位】： 復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系TFT-LCD關(guān)鍵材料及技術(shù)國家工程實(shí)驗(yàn)室;臺(tái)灣交通大學(xué)光電工程學(xué)系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(61136004,61471126)~~
【分類號(hào)】：TN321.5
【正文快照】：

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 嚴(yán)海;蔡韻竹;張群;謝漢萍;;氮摻雜非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的器件穩(wěn)定性改善研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2015年09期

2 劉翔;張盛東;薛建設(shè);寧策;楊靜;王剛;;高性能金屬銦鎵鋅氧化物TFT的研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2014年02期

【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 王乃倩;張群;謝漢萍;;雙溝道層對(duì)氮摻雜非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的影響[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2016年07期

2 劉剛;劉波;彭繼;施祖?zhèn)?方旭東;李星宇;;有機(jī)電致發(fā)光器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)的發(fā)展[J];照明工程學(xué)報(bào);2015年05期

3 江凱;李遠(yuǎn)潔;毛玉政;;磁控濺射氧氣流量對(duì)非晶InGaZnO薄膜特性的影響研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2015年10期

4 李玲;薛濤;宋忠孝;張小寧;劉純亮;;氧分壓對(duì)直流磁控濺射IGZO薄膜特性的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2015年10期

5 嚴(yán)海;蔡韻竹;張群;謝漢萍;;氮摻雜非晶氧化銦鋅薄膜晶體管的器件穩(wěn)定性改善研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2015年09期

6 崔璨;蔡明諺;張鼎張;張群;;SiN_x介質(zhì)層非晶IGZO薄膜晶體管的光照穩(wěn)定性研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2015年07期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 劉翔;張盛東;薛建設(shè);寧策;楊靜;王剛;;高性能金屬銦鎵鋅氧化物TFT的研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2014年02期

2 田宗民;陳旭;張金中;張文余;謝振宇;郭建;姜曉輝;閔泰燁;;柵極絕緣層和有源層沉積工藝的優(yōu)化對(duì)TFT特性的影響研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2014年01期

3 劉翔;薛建設(shè);周偉峰;戴天明;郝照慧;楊靜;寧策;張學(xué)輝;孫冰;;改善沉積氮化硅薄膜對(duì)FFS-TFT透明電極ITO影響的研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2012年01期

4 劉翔;薛建設(shè);賈勇;周偉峰;肖靜;曹占峰;;金屬氧化物IGZO薄膜晶體管的最新研究進(jìn)展[J];現(xiàn)代顯示;2010年10期

5 劉翔;王章濤;崔祥彥;鄧振波;邱海軍;;液晶陣列四次光刻工藝中光刻膠灰化工藝的研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2008年04期

6 謝振宇;龍春平;鄧朝勇;林承武;;非晶硅TFT柵界面層氮化硅薄膜性能的研究[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2007年04期

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;薄膜晶體管專業(yè)圖書介紹[J];液晶與顯示;2008年04期

2 ;新型雙柵薄膜晶體管研究取得進(jìn)步[J];傳感器世界;2011年10期

3 ;實(shí)驗(yàn)性的薄膜晶體管[J];電子計(jì)算機(jī)動(dòng)態(tài);1961年12期

4 吳茂林;;采用多晶硅的高壓薄膜晶體管[J];電子技術(shù);1989年11期

5 何曉陽;薄膜晶體管制作工藝的發(fā)展概況[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年02期

6 王偉,石家緯,郭樹旭,劉明大,全寶富;并五苯薄膜晶體管及其應(yīng)用[J];半導(dǎo)體光電;2004年04期

7 林明通;余峰;張志林;;氧化鋅基薄膜晶體管最新研究進(jìn)展[J];光電子技術(shù);2008年04期

8 楊小天;馬仙梅;朱慧超;高文濤;金虎;齊曉薇;高博;董秀茹;付國柱;荊海;王超;常遇春;杜國同;曹健林;;氧化鋅基薄膜晶體管制備與研究(英文)[J];電子器件;2008年01期

9 王雄;才璽坤;原子健;朱夏明;邱東江;吳惠楨;;氧化鋅錫薄膜晶體管的研究[J];物理學(xué)報(bào);2011年03期

10 ;寧波材料所在新型雙電層薄膜晶體管領(lǐng)域取得新進(jìn)展[J];功能材料信息;2011年04期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 董桂芳;邱勇;;并五苯薄膜晶體管穩(wěn)定性研究[A];中國化學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集（下冊(cè)）[C];2006年

2 張群;;非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的研究進(jìn)展[A];2013年廣東省真空學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2013年

3 王喜章;染谷隆夫;胡征;陳懿;;n-和p-型有機(jī)半導(dǎo)體涂層對(duì)五并苯薄膜晶體管性能促進(jìn)效應(yīng)[A];中國化學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集（下冊(cè)）[C];2006年

4 焦兵兵;王東興;劉躍;趙洪;;有機(jī)半導(dǎo)體酞菁銅雙極薄膜晶體管制備與特性[A];第十三屆全國工程電介質(zhì)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2011年

5 邱龍臻;;基于有機(jī)半導(dǎo)體納米線復(fù)合材料的薄膜晶體管[A];2011年全國高分子學(xué)術(shù)論文報(bào)告會(huì)論文摘要集[C];2011年

6 岳蘭;張群;;高遷移率Al-In-Zn-O氧化物薄膜晶體管的研究[A];中國真空學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2012年

7 曾祥斌;孫小衛(wèi);李俊峰;齊國鈞;;電場增強(qiáng)金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化制備多晶硅薄膜和薄膜晶體管[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集Ⅲ[C];2004年

8 于愛芳;郜展;李宏宇;唐皓穎;江鵬;;濕化學(xué)法修飾的ZnO納米結(jié)構(gòu)薄膜晶體管的構(gòu)造及性能研究[A];中國化學(xué)會(huì)第27屆學(xué)術(shù)年會(huì)第04分會(huì)場摘要集[C];2010年

9 李榮金;李洪祥;胡文平;朱道本;;一種并五苯類似物的微米晶及各向異性電荷傳輸[A];全國第八屆有機(jī)固體電子過程暨華人有機(jī)光電功能材料學(xué)術(shù)討論會(huì)摘要集[C];2010年

10 蔡俊;陳偉;;基于PIC24FJ128DA210的TFT-LCD控制設(shè)計(jì)[A];全國冶金自動(dòng)化信息網(wǎng)2014年會(huì)論文集[C];2014年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 吉通;通海高科將公開發(fā)行新股[N];中國工商報(bào);2000年

2 鄭金武;國內(nèi)最大薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線建成[N];中國有色金屬報(bào);2004年

3 羅清岳;非晶硅與多晶硅薄膜晶體管技術(shù)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2007年

4 本報(bào)記者 姜虹;秋逸盛：大尺寸面板難題已破[N];中華工商時(shí)報(bào);2012年

5 中國軟件評(píng)測(cè)中心 中國計(jì)算機(jī)報(bào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 康健;Philips150x看過來[N];中國計(jì)算機(jī)報(bào);2001年

6 中國計(jì)算機(jī)報(bào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 康健;“瘦”的魅力[N];中國計(jì)算機(jī)報(bào);2000年

7 記者 劉霞;基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世[N];科技日?qǐng)?bào);2011年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 強(qiáng)蕾;非晶半導(dǎo)體薄膜晶體管模型研究及參數(shù)提取[D];華南理工大學(xué);2015年

2 陳勇躍;氧化物電子材料及其在薄膜晶體管的應(yīng)用研究[D];浙江大學(xué);2015年

3 于浩;基于雙層結(jié)構(gòu)InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶體管及憶阻器件的研究[D];東北師范大學(xué);2015年

4 武辰飛;非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管的器件物理研究[D];南京大學(xué);2016年

5 姚綺君;基于氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管[D];清華大學(xué);2009年

6 袁龍炎;氧化鉿/氮氧化鉿柵介質(zhì)金屬氧化物薄膜晶體管的研制[D];武漢大學(xué);2010年

7 竇威;低電壓氧化物基紙張雙電層薄膜晶體管[D];湖南大學(xué);2013年

8 李俊;有機(jī)小分子及微晶硅薄膜晶體管研究[D];上海大學(xué);2011年

9 孫佳;無機(jī)雙電層?xùn)沤橘|(zhì)及其低電壓氧化物微納晶體管應(yīng)用[D];湖南大學(xué);2012年

10 黃曉明;非晶銦鎵鋅氧基薄膜晶體管的輸運(yùn)及界面特性研究[D];南京大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 孫汝杰;TiZnSnO非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜制備及應(yīng)用研究[D];浙江大學(xué);2015年

2 劉權(quán);SnO薄膜及其雙極性晶體管的性能調(diào)控[D];寧波大學(xué);2015年

3 李洪磊;摻鎢氧化銦鋅薄膜晶體管的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

4 徐博;多元氧化物半導(dǎo)體薄膜分子束外延生長及性能研究[D];電子科技大學(xué);2015年

5 劉沖;銦鎵鋅氧薄膜晶體管的制備及其性能研究[D];電子科技大學(xué);2015年

6 羅文彬;鋅錫氧化物薄膜晶體管的制備及其性能研究[D];電子科技大學(xué);2014年

7 譚惠月;金屬氧化物薄膜和晶體管的制備與性能研究[D];青島大學(xué);2015年

8 吳穹;薄膜晶體管電流模型的高階效應(yīng)研究[D];華南理工大學(xué);2015年

9 周大祥;非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管光照穩(wěn)定性的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

10 王曉林;隧穿效應(yīng)薄膜晶體管制備與特性分析[D];哈爾濱理工大學(xué);2013年

，

本文編號(hào)：1205052