晶圓級(jí)芯片尺寸封裝Sn-3.0Ag-0.5Cu焊點(diǎn)跌落失效模式(英文)
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【摘要】:依據(jù)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)采用板級(jí)跌落實(shí)驗(yàn)研究晶圓級(jí)芯片尺寸封裝Sn-3.0Ag-0.5Cu焊點(diǎn)的跌落失效模式。發(fā)現(xiàn)存在六種失效模式,即發(fā)生在印刷電路板(PCB)側(cè)的短FR-4裂紋和完全FR-4裂紋,以及發(fā)生在芯片側(cè)的再布線層(RDL)與Cu凸點(diǎn)化層開裂、RDL斷裂、體釬料裂紋及體釬料與界面金屬間化合物(IMC)混合裂紋。對(duì)于最外側(cè)的焊點(diǎn),由于PCB變形量較大且FR-4介質(zhì)層強(qiáng)度較低,易于形成完全FR-4裂紋,其可吸收較大的跌落沖擊能量,從而避免了其它失效模式的發(fā)生。對(duì)于內(nèi)側(cè)的焊點(diǎn),先形成的短FR-4裂紋對(duì)跌落沖擊能量的吸收有限,導(dǎo)致在芯片側(cè)發(fā)生失效。
【作者單位】: 大連理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;大連理工大學(xué)力學(xué)工程系;
【基金】:Projects(51475072,51171036)supported by the National Natural Science Foundation of China
【分類號(hào)】:TN405
【正文快照】: 1 Introduction The approaches of miniaturization,light weight,high speed,and multifunction will be never-ending for electronic devices,which definitely results in higher density and smaller dimension of electronic package.To meet these increasing requir
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,本文編號(hào):1202457
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