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晶圓級芯片尺寸封裝Sn-3.0Ag-0.5Cu焊點跌落失效模式(英文)

發(fā)布時間:2017-11-19 05:20

  本文關鍵詞:晶圓級芯片尺寸封裝Sn-3.0Ag-0.5Cu焊點跌落失效模式(英文)


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【摘要】:依據(jù)JEDEC標準采用板級跌落實驗研究晶圓級芯片尺寸封裝Sn-3.0Ag-0.5Cu焊點的跌落失效模式。發(fā)現(xiàn)存在六種失效模式,即發(fā)生在印刷電路板(PCB)側(cè)的短FR-4裂紋和完全FR-4裂紋,以及發(fā)生在芯片側(cè)的再布線層(RDL)與Cu凸點化層開裂、RDL斷裂、體釬料裂紋及體釬料與界面金屬間化合物(IMC)混合裂紋。對于最外側(cè)的焊點,由于PCB變形量較大且FR-4介質(zhì)層強度較低,易于形成完全FR-4裂紋,其可吸收較大的跌落沖擊能量,從而避免了其它失效模式的發(fā)生。對于內(nèi)側(cè)的焊點,先形成的短FR-4裂紋對跌落沖擊能量的吸收有限,導致在芯片側(cè)發(fā)生失效。
【作者單位】: 大連理工大學材料科學與工程學院;大連理工大學力學工程系;
【基金】:Projects(51475072,51171036)supported by the National Natural Science Foundation of China
【分類號】:TN405
【正文快照】: 1 Introduction The approaches of miniaturization,light weight,high speed,and multifunction will be never-ending for electronic devices,which definitely results in higher density and smaller dimension of electronic package.To meet these increasing requir

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本文編號:1202457

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