發(fā)布時間：2017-11-19 03:04

  本文關(guān)鍵詞：使用傳輸線理論的硅通孔電參數(shù)提取方法

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【摘要】：針對三維集成電路中的關(guān)鍵技術(shù)硅通孔的電特性,使用傳輸線理論提取了其單位長度RLGC參數(shù)。將硅通孔等效為傳輸線,利用HFSS仿真結(jié)果并結(jié)合傳輸線理論給出了具體的參數(shù)提取方法。計算結(jié)果表明,硅通孔單位長度RLGC參數(shù)呈現(xiàn)較強的頻變特性,當頻率從1 MHz增加到20 GHz時,單位長度的電阻和導(dǎo)納分別從0.45 mΩ/μm和2.5μS/μm增加到2.5 mΩ/μm和17μS/μm,而單位長度電感和電容分別從8.7 p H/μm和8.8 f F/μm減小至7.5 p H/μm和0.2 f F/μm。與傳統(tǒng)的阻抗矩陣和導(dǎo)納矩陣提取方法相比,該方法具有結(jié)果絕對收斂和適用頻率高等諸多優(yōu)點,可進一步應(yīng)用于三維集成電路的仿真設(shè)計。
【作者單位】： 武警工程大學電子技術(shù)系;武警工程大學信息工程系;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61402529)~~
【分類號】：TN40
【正文快照】： 1引言隨著消費類電子的發(fā)展,越來越多的系統(tǒng)都集成有傳感器、處理器、存儲器、天線和各種無源器件以實現(xiàn)多種功能,從而要求更高的芯片集成密度。***然而,由于目前光刻工藝加工手段的局限性以及信號傳輸速率的提高,原有的基于二維平面的集成電路無法滿足集成密度提高的需求。為

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本文編號：1202074