本文關(guān)鍵詞：MPCVD生長半導(dǎo)體金剛石材料的研究現(xiàn)狀

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【摘要】：簡要介紹了半導(dǎo)體金剛石材料優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)、主要制備方法以及采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)在制備高質(zhì)量半導(dǎo)體金剛石材料方面的優(yōu)勢。重點就MPCVD技術(shù)在半導(dǎo)體金剛石材料的高速率生長、大尺寸生長、高質(zhì)量生長以及電學(xué)摻雜等四個方面的研究現(xiàn)狀進行了詳細總結(jié)。詳細探討了目前半導(dǎo)體金剛石材料在大尺寸單晶金剛石襯底制備、高質(zhì)量單晶金剛石外延層生長以及金剛石電學(xué)摻雜等方面還存在的一些基本問題。指出在大面積單晶金剛石襯底還沒有實現(xiàn)突破的情況下,半導(dǎo)體金剛石材料和器件結(jié)構(gòu)的生長模式。
【作者單位】： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點實驗室;中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所低維半導(dǎo)體材料與器件北京市重點實驗室;
【基金】：北京市科技計劃項目(Z151100003315024)
【分類號】：TN304.055
【正文快照】： 0引言金剛石優(yōu)異的物理、化學(xué)性質(zhì)使其廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域。金剛石為間接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度約為5.5 eV,熱導(dǎo)率高達22 W/(cm·K)。室溫電子和空穴遷移率高達4 500 cm2/(V·s)和3 800 cm2/(V·s)[1],遠高于第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC。因此,金剛石在高溫工作的大功率電力電

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本文編號：1200569