本文關鍵詞：石墨烯場效應晶體管的非線性模型

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【摘要】：包含新技術、新材料的新型器件的不斷涌現(xiàn),使現(xiàn)有的傳統(tǒng)器件模型已不能完全表征石墨烯場效應晶體管(GFET)的特性。提出了一種基于經(jīng)驗公式的非線性模型來表征GFET的特性,該模型對傳統(tǒng)經(jīng)驗模型的公式和拓撲結構進行了改進,使其能更好地表征GFET的特性。該模型包含了GFET的柵源電流模型、源漏電流模型、電容模型和低頻散射效應等。此外該模型為可定標的模型,可用于一定尺寸范圍的器件的仿真。該模型可集成在仿真軟件中進行石墨烯電路的設計,其直流I-V特性和多偏置S參數(shù)的仿真結果與測試結果吻合較好,驗證了該模型的有效性。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第十三研究所;中國電子科技集團公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗室;
【分類號】：TN386
【正文快照】： 0引言石墨烯是由單層碳原子緊密堆積成的二維蜂窩狀晶格結構材料,厚度只有0.335 nm[1]。這種特殊的晶體結構使石墨烯具有超薄、超高電子遷移率、超高飽和漂移速度和超高熱導率等特性。石墨烯中的載流子典型飽和漂移速度為5×107cm/s,載流子遷移率大于200 000 cm2/(V·s)[1],是

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本文編號：1200240