本文關(guān)鍵詞：n-on-p結(jié)構(gòu)深臺面延伸波長InGaAs探測器的ICPCVD鈍化工藝

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【摘要】：采用ICP刻蝕(inductively coupled plasma etching)工藝制備了深臺面n-on-p結(jié)構(gòu)的可響應(yīng)到2.4μm的延伸波長8×1元線列In Ga As探測器.器件表面采用ICP源激發(fā)的N2等離子體進行處理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉積一層Si Nx薄膜的鈍化工藝.不同面積光敏元器件的電流—電壓特性分析顯示器件在常溫和低溫下側(cè)面電流均得到有效抑制,激活能分析顯示了器件優(yōu)異的暗電流特性,在-10 m V偏壓下,在200 K和300 K溫度下暗電流密度分別為94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國家重點實驗室;中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外成像材料與器件重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃資助973項目(2012CB619200) 國家自然科學(xué)基金(61205105,61376052和61475179)~~
【分類號】：TN215
【正文快照】： PACS:01.55.+b引言1~3μm短波紅外波段包含C—O、C—H、C=O、O—H和N—H等化合鍵的吸收峰位,在天氣預(yù)報、機器視覺、環(huán)境監(jiān)控、資源調(diào)查等方面有著重要的作用[1-3].In Ga As探測器因其成熟的材料生長工藝和器件制備工藝以及可室溫工作的特點,在短波紅外波段有著廣泛的研究和應(yīng)

【相似文獻】

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本文編號：1193019