本文關(guān)鍵詞：高深寬比硅通孔的制作與填充技術(shù)

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【摘要】：隨著MEMS器件不斷朝著高集成度和低功耗等方向發(fā)展,對(duì)傳統(tǒng)的封裝方式提出了新的挑戰(zhàn)。硅通孔技術(shù)是三維集成電路中,利用先進(jìn)的封裝工藝和設(shè)備條件,通過不同芯片之間實(shí)現(xiàn)堆疊以達(dá)到互連的一種新的技術(shù)解決方案,可以極大地減小芯片間互連引線長(zhǎng)度、降低引線寄生效應(yīng)、提高信號(hào)的傳輸速率以及實(shí)現(xiàn)最小化互連線的延遲和功耗,是一種應(yīng)用于高密度3D封裝的新型互連技術(shù)。本文結(jié)合自身在中國兵器集團(tuán)第214所的實(shí)習(xí)工作經(jīng)歷,對(duì)硅通孔的制作與填充技術(shù)進(jìn)行了較為深入、系統(tǒng)的研究,在大量實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,分別對(duì)通孔的刻蝕與沉積工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)、驗(yàn)證及改進(jìn)。本論文的主要研究?jī)?nèi)容如下：(1)通過對(duì)不同工藝的原理進(jìn)行分析與比較,確定了利用ICP刻蝕技術(shù)和LPCVD技術(shù)分別進(jìn)行通孔的制作與填充,為后續(xù)實(shí)驗(yàn)的開展奠定了理論基礎(chǔ)。(2)綜合考慮了硅通孔刻蝕過程中的相關(guān)工藝參數(shù)對(duì)刻蝕結(jié)果產(chǎn)生的影響,并完善了高深寬比通孔刻蝕工藝參數(shù),最終實(shí)現(xiàn)了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0gm、深寬比大于20：1的高深寬比通孔的制作,通孔側(cè)壁光滑,為后續(xù)的通孔填充工藝做好了準(zhǔn)備。(3)在大量實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,研究了多晶硅的沉積速率與沉積溫度、反應(yīng)壓力以及硅烷流量之間的關(guān)系,確定了最佳沉積工藝參數(shù),成功完成了通孔內(nèi)多晶硅的無空洞沉積；對(duì)一定數(shù)量的通孔進(jìn)行測(cè)試,其平均阻值為25Ω,測(cè)試結(jié)果表明,通孔互連的電學(xué)特性較好。
【學(xué)位授予單位】：合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TH-39;TN405

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 宋光亭;巧鉆超深通孔[J];機(jī)械制造;2001年05期

2 周行;不通孔座中壓入庿套的拆卸[J];上海機(jī)械;1965年01期

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本文編號(hào)：1192483