本文關(guān)鍵詞：高深寬比硅通孔的制作與填充技術(shù)

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【摘要】：隨著MEMS器件不斷朝著高集成度和低功耗等方向發(fā)展,對傳統(tǒng)的封裝方式提出了新的挑戰(zhàn)。硅通孔技術(shù)是三維集成電路中,利用先進的封裝工藝和設(shè)備條件,通過不同芯片之間實現(xiàn)堆疊以達到互連的一種新的技術(shù)解決方案,可以極大地減小芯片間互連引線長度、降低引線寄生效應(yīng)、提高信號的傳輸速率以及實現(xiàn)最小化互連線的延遲和功耗,是一種應(yīng)用于高密度3D封裝的新型互連技術(shù)。本文結(jié)合自身在中國兵器集團第214所的實習(xí)工作經(jīng)歷,對硅通孔的制作與填充技術(shù)進行了較為深入、系統(tǒng)的研究,在大量實驗的基礎(chǔ)上,分別對通孔的刻蝕與沉積工藝參數(shù)進行調(diào)節(jié)、驗證及改進。本論文的主要研究內(nèi)容如下：(1)通過對不同工藝的原理進行分析與比較,確定了利用ICP刻蝕技術(shù)和LPCVD技術(shù)分別進行通孔的制作與填充,為后續(xù)實驗的開展奠定了理論基礎(chǔ)。(2)綜合考慮了硅通孔刻蝕過程中的相關(guān)工藝參數(shù)對刻蝕結(jié)果產(chǎn)生的影響,并完善了高深寬比通孔刻蝕工藝參數(shù),最終實現(xiàn)了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0gm、深寬比大于20：1的高深寬比通孔的制作,通孔側(cè)壁光滑,為后續(xù)的通孔填充工藝做好了準(zhǔn)備。(3)在大量實驗的基礎(chǔ)上,研究了多晶硅的沉積速率與沉積溫度、反應(yīng)壓力以及硅烷流量之間的關(guān)系,確定了最佳沉積工藝參數(shù),成功完成了通孔內(nèi)多晶硅的無空洞沉積；對一定數(shù)量的通孔進行測試,其平均阻值為25Ω,測試結(jié)果表明,通孔互連的電學(xué)特性較好。
【學(xué)位授予單位】：合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TH-39;TN405

【相似文獻】

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1 宋光亭;巧鉆超深通孔[J];機械制造;2001年05期

2 周行;不通孔座中壓入庿套的拆卸[J];上海機械;1965年01期

3 方開舜;;鋸管導(dǎo)向模[J];機械工人技術(shù)資料;1975年01期

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本文編號：1192483