發(fā)布時(shí)間：2017-11-14 07:17

  本文關(guān)鍵詞：單向瞬態(tài)電壓抑制二極管的參數(shù)提取

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【摘要】：在半導(dǎo)體器件高功率電磁脈沖效應(yīng)數(shù)值模擬中,真實(shí)器件的物理模型構(gòu)建較為困難。為了解決這一問(wèn)題,以某型單向瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管為例,對(duì)其進(jìn)行測(cè)試獲取建模所需的參數(shù)信息。通過(guò)X光成像、掃描電子顯微鏡(SEM)及雜質(zhì)染色等技術(shù)手段,獲得了該器件PN結(jié)正對(duì)面積大小、PN結(jié)深度等結(jié)構(gòu)參數(shù)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)量了二極管的反向擊穿電壓和電容曲線(xiàn),結(jié)合數(shù)值計(jì)算,推導(dǎo)出了二極管的雜質(zhì)濃度。利用本次實(shí)驗(yàn)獲得的參數(shù),結(jié)合數(shù)值計(jì)算的結(jié)果,建立了該型號(hào)二極管的真實(shí)半導(dǎo)體物理模型。對(duì)該模型進(jìn)行了數(shù)值仿真,計(jì)算了器件的伏安響應(yīng)曲線(xiàn)并與實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行了比對(duì),計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)值吻合較好。本次的方法除了可以直接用于PN結(jié)型器件的建模外,也為其他器件物理模型的建立提供了參考,可在半導(dǎo)體器件效應(yīng)數(shù)值模擬研究中得到應(yīng)用。
【作者單位】： 西北核技術(shù)研究所;西安交通大學(xué)電子信息學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61231003,61201090) 高功率微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金項(xiàng)目(HPM1401)
【分類(lèi)號(hào)】：TN31
【正文快照】： 半導(dǎo)體數(shù)值仿真方法可以直接深入地研究電磁脈沖(EMP)和高功率微波(HPM)對(duì)電子系統(tǒng)和器件的破壞機(jī)理,得出通用的規(guī)律性理論分析[1-3],因而,該方法近些年在EMP和HPM效應(yīng)研究中得到了較多應(yīng)用[4-7]。在半導(dǎo)體數(shù)值仿真研究當(dāng)中,建立模型是數(shù)值仿真的基礎(chǔ),也是數(shù)值仿真中的難題。

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 宣春;貢頂;謝海燕;王建國(guó);;半導(dǎo)體器件/電路混合模擬及其在HPM效應(yīng)中的應(yīng)用[J];微電子學(xué);2009年03期

【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 李勇;宣春;謝海燕;夏洪富;王建國(guó);;電磁脈沖作用下PIN二極管的響應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2013年08期

2 李勇;貢頂;宣春;夏洪富;謝海燕;王建國(guó);;器件效應(yīng)數(shù)值模擬中漂移擴(kuò)散模型的誤差分析[J];強(qiáng)激光與粒子束;2014年06期

3 李勇;謝海燕;楊志強(qiáng);宣春;夏洪富;;高功率微波作用下金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管響應(yīng)[J];強(qiáng)激光與粒子束;2015年10期

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 貢頂;王建國(guó);張殿輝;張相華;韓峰;童長(zhǎng)江;張茂鈺;;通用二維半導(dǎo)體器件模擬軟件的設(shè)計(jì)[J];計(jì)算物理;2007年02期

2 王建國(guó),劉國(guó)治,周金山;微波孔縫線(xiàn)性耦合函數(shù)研究[J];強(qiáng)激光與粒子束;2003年11期

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2000年02期

2 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2000年04期

3 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2000年05期

4 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2000年08期

5 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2000年12期

6 馬璇;;半導(dǎo)體器件應(yīng)用中的可靠性及失效分析[J];電子元器件應(yīng)用;2000年12期

7 吳騰奇;日本半導(dǎo)體器件命名方法[J];國(guó)外電子元器件;2001年04期

8 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2001年12期

9 高季蓀;;塑料半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用[J];電子元器件應(yīng)用;2001年Z1期

10 ;半導(dǎo)體器件[J];電子科技文摘;2002年05期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 許銘真;馬金源;譚長(zhǎng)華;譚映;王潔;靳磊;;用于半導(dǎo)體器件參數(shù)檢測(cè)的比例差值譜儀[A];第十五屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料，，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

2 母繼榮;祁陽(yáng);;半導(dǎo)體器件抗輻射涂層研究[A];TFC'07全國(guó)薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2007年

3 徐立生;高兆豐;梁法國(guó);張士芬;;半導(dǎo)體器件的貯存壽命[A];中國(guó)電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)第十三屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文選[C];2006年

4 鄧永孝;;半導(dǎo)體器件的靜電損傷及防護(hù)[A];電子產(chǎn)品靜電防護(hù)技術(shù)研討會(huì)論文集[C];1992年

5 戴精武;;微波半導(dǎo)體器件的陶瓷——金屬封裝[A];第一屆陶瓷與金屬封接會(huì)議論文集[C];1990年

6 范士海;;半導(dǎo)體器件失效案例統(tǒng)計(jì)與綜合分析[A];2010第十五屆可靠性學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2010年

7 韋源;貢頂;牛勝利;黃流興;;典型半導(dǎo)體器件γ劑量率輻射效應(yīng)數(shù)值模擬[A];中國(guó)核科學(xué)技術(shù)進(jìn)展報(bào)告——中國(guó)核學(xué)會(huì)2009年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集（第一卷·第6冊(cè)）[C];2009年

8 蔡玲芳;;半導(dǎo)體器件壽命計(jì)算[A];浙江省電子學(xué)會(huì)2012學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2012年

9 陳軍全;陳星;;半導(dǎo)體器件和電路溫度效應(yīng)的多物理場(chǎng)協(xié)同計(jì)算[A];2011年全國(guó)微波毫米波會(huì)議論文集（下冊(cè)）[C];2011年

10 胡新;;納米尺度半導(dǎo)體器件的數(shù)值模擬[A];北京力學(xué)學(xué)會(huì)第12屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2006年

中國(guó)重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 張文;大功率半導(dǎo)體器件基地湖南投產(chǎn)[N];中國(guó)電子報(bào);2009年

2 記者　 杜華斌;新型半導(dǎo)體器件可在納米水平生成離子層[N];科技日?qǐng)?bào);2006年

3 ;半導(dǎo)體器件及其制造方法[N];中國(guó)有色金屬報(bào);2003年

4 劉乃清;LED：扮靚奧運(yùn)會(huì) 啟迪新商機(jī)[N];電子資訊時(shí)報(bào);2008年

5 辛華;日研制可耐受2萬(wàn)伏電壓的晶體管[N];中國(guó)航空?qǐng)?bào);2012年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 李偉華;半導(dǎo)體器件噪聲頻域和時(shí)域分析的新方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

2 包軍林;半導(dǎo)體器件噪聲—可靠性診斷方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2005年

3 閆大為;寬禁帶Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體器件輸運(yùn)與界面特性研究[D];南京大學(xué);2011年

4 范菊平;典型半導(dǎo)體器件的高功率微波效應(yīng)研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

5 任興榮;半導(dǎo)體器件的電磁損傷效應(yīng)與機(jī)理研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 江代力;半導(dǎo)體器件的電磁熱一體化建模[D];華東交通大學(xué);2012年

2 丁紅梅;基于有限體積法的半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬[D];電子科技大學(xué);2012年

3 喻虎;射頻半導(dǎo)體器件的電熱特性分析[D];南京理工大學(xué);2013年

4 劉影;半導(dǎo)體器件的二維數(shù)值模擬[D];電子科技大學(xué);2012年

5 茍文建;半導(dǎo)體器件的二維仿真[D];電子科技大學(xué);2013年

6 馮羽凱;半導(dǎo)體器件高溫去潮濕系統(tǒng)優(yōu)化與控制[D];上海交通大學(xué);2009年

7 許蓉蓉;高功率電磁脈沖輻射下半導(dǎo)體器件的擊穿效應(yīng)[D];上海交通大學(xué);2008年

8 楊江勤;國(guó)產(chǎn)塑封半導(dǎo)體器件可靠性試驗(yàn)的研究[D];電子科技大學(xué);2012年

9 孫柳明;硅材料半導(dǎo)體器件基本模型研究[D];電子科技大學(xué);2015年

10 劉波;半導(dǎo)體器件的高功率微波毀傷閾值數(shù)值計(jì)算研究[D];電子科技大學(xué);2004年

本文編號(hào)：1184411