天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

基于微納材料和結(jié)構(gòu)的OLED器件發(fā)光特性研究

發(fā)布時間:2017-11-13 01:01

  本文關(guān)鍵詞:基于微納材料和結(jié)構(gòu)的OLED器件發(fā)光特性研究


  更多相關(guān)文章: OLED Bphen:Cs_2CO_3 出光效率 Tracepro 微透鏡陣列


【摘要】:經(jīng)過幾十年的研究發(fā)展,有機電致發(fā)光技術(shù)在發(fā)光理論、功能材料和器件性能等方面都取得了很大突破,但發(fā)光效率仍然不高。熒光器件內(nèi)量子效率不超過25%,磷光器件雖然內(nèi)量子效率理論上能夠達(dá)到100%,但其外量子效率僅在20%左右。因此,本文首先圍繞基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)器件,通過優(yōu)化器件電子傳輸層,以提高器件內(nèi)量子效率;接著從OLED器件的出光效率方面考慮,在器件外出光面制備微透鏡陣列,以提高外量子效率。具體工作如下:首先,在優(yōu)化器件電子傳輸層方面,從不同電子注入材料、電子傳輸材料Bphen及摻雜層Bphen:Cs_2CO_3等方面進(jìn)行研究。結(jié)果表明:在修飾陰極方面,Cs_2CO_3電子注入能力優(yōu)于LiF。Bphen作為電子傳輸層,能夠有效增強電子傳輸和注入能力,提高器件亮度和效率,延長器件壽命,但會導(dǎo)致啟亮電壓增大;Bphen為25nm時,器件的啟亮電壓是2.65V,最大亮度是26500cd/m2,最大電流效率為7.0cd/A,壽命是364.5h。Bphen:Cs_2CO_3作為電子傳輸層,能夠全面改善器件性能;Cs_2CO_3摻雜體積比為15%,摻雜層厚度為5nnm時,器件啟亮電壓為2.45V,最大亮度為28100cd/m2,最大電流效率為4.2cd/A,壽命是121.8h。其次,通過光學(xué)軟件Tracepro仿真微透鏡陣列各參數(shù)對出光效率的影響:微透鏡間距越小,出光效率越高;接觸角越大,出光效率越高,接觸角為90。時,出光效率最高;在間距值固定不變時,出光效率隨著微透鏡口徑的增大先增加后降低;在一定的占空比范圍內(nèi),當(dāng)間距和口徑相同時,蜂窩狀排列微透鏡陣列器件出光效率高于正交排列微透鏡陣列器件。最后,通過在實驗室制備微透鏡陣列并將其應(yīng)用在綠光器件中。相比于參考器件,大尺寸微透鏡陣列使出光效率提高52%,但器件發(fā)光霧度較大;小尺寸微透鏡陣列使光效率提高40%,器件發(fā)光霧度較小,且微透鏡陣列不影響發(fā)光峰值位置。
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN383.1

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 鄧蓓,包宗明;平面高反壓器件的兩維數(shù)值模擬[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1989年02期

2 黃風(fēng)義,孔曉明,蔣俊潔,姜楠;砷化鎵HBT的VBIC模型研究[J];東南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2005年02期

3 方家興;胡志富;蔡樹軍;;大柵寬功率器件的分布性研究[J];微納電子技術(shù);2010年08期

4 章安良,陳顯萼,胡建萍;基于物理分析的大信號HBT模型[J];杭州電子工業(yè)學(xué)院學(xué)報;2000年06期

5 賀威;張正選;;部分耗盡PD CMOS/SOI器件SEU模型分析[J];微電子學(xué)與計算機;2010年12期

6 劉諾,,謝孟賢;高電子遷移率晶體管器件模型[J];微電子學(xué);1996年02期

7 盧東旭;楊克武;吳洪江;高學(xué)邦;;GaN功率器件模型及其在電路設(shè)計中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2007年04期

8 高新江;張秀川;陳揚;;InGaAs/InP SAGCM-APD的器件模型及其數(shù)值模擬[J];半導(dǎo)體光電;2007年05期

9 Jeffrey Frey;梁春廣;;半導(dǎo)體器件的彈道傳輸[J];半導(dǎo)體情報;1981年05期

10 蔡麗娟,鄒祖冰;新型功率器件MCT關(guān)斷模型[J];華南理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2004年01期

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 付強;SOI基高速橫向IGBT模型與新結(jié)構(gòu)研究[D];電子科技大學(xué);2014年

2 雷曉藝;阻變存儲器(RRAM)器件特性與模型研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

3 劉博;基于無序體系電荷輸運理論的聚合物半導(dǎo)體全器件模型構(gòu)建與應(yīng)用[D];吉林大學(xué);2016年

4 殷喬楠;氧化鈦阻變器件開關(guān)特性對尺寸和環(huán)境濕度依賴性的研究[D];南京大學(xué);2016年

5 吳強;HBT模型參數(shù)提取方法及InP基單片集成器件的研究[D];北京郵電大學(xué);2008年

6 鐘英輝;InP基HEMT器件及毫米波單片放大電路研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年

7 鮑立;超深亞微米MOS器件RTS噪聲研究[D];西安電子科技大學(xué);2008年

8 朱臻;多晶硅薄膜晶體管器件模型研究[D];華東師范大學(xué);2011年

9 許會芳;新型納米器件的性能研究與建模[D];安徽大學(xué);2015年

10 胡夏融;高壓SOI器件耐壓模型與槽型新結(jié)構(gòu)[D];電子科技大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 陳超;低成本高壓功率器件的電路設(shè)計與測試及其應(yīng)用[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 吳杰;GaN-HEMT器件自熱效應(yīng)研究及其優(yōu)化[D];電子科技大學(xué);2014年

3 宋洵奕;高壓SenseFET的分析與設(shè)計[D];電子科技大學(xué);2014年

4 張國彥;新型Nanowire器件的測試、建模與仿真[D];電子科技大學(xué);2015年

5 楊東博;碳化硅MOSFET器件動態(tài)參數(shù)測量及其影響因素的研究[D];華北電力大學(xué);2015年

6 祁嬌嬌;SOI高壓薄層LDMOS可靠性的研究[D];電子科技大學(xué);2015年

7 王媛;GaN基HEMT器件熱學(xué)問題研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年

8 謝安邦;硅基模式轉(zhuǎn)換器件的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

9 張城緒;小尺寸pMOSFET器件的NBTI壽命預(yù)測方法研究[D];南京大學(xué);2016年

10 張麗芳;THz波段RTO器件集成與功率合研究[D];天津工業(yè)大學(xué);2016年



本文編號:1178370

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1178370.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶85ea2***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com
久久99亚洲小姐精品综合| 欧美日韩国产综合特黄| 国产日韩中文视频一区| 亚洲av成人一区二区三区在线| 欧美国产日产在线观看| 国产黄色高清内射熟女视频| 香蕉久久夜色精品国产尤物| 深夜福利欲求不满的人妻| 亚洲一区二区福利在线| 日韩国产亚洲欧美激情| 日本亚洲精品在线观看| 亚洲精品日韩欧美精品| 亚洲精品中文字幕熟女| 亚洲精品高清国产一线久久| 国产精品免费视频专区| 国产精欧美一区二区三区久久| 天堂av一区一区一区| 九九九热在线免费视频| 日韩日韩欧美国产精品| 欧美午夜一区二区福利视频| 欧美成人一区二区三区在线 | 激情国产白嫩美女在线观看| 欧美日韩校园春色激情偷拍| 99久只有精品免费视频播放| 色小姐干香蕉在线综合网| 日本人妻精品中文字幕不卡乱码| 国产三级黄片在线免费看| 日韩精品一级片免费看| 日韩精品一级一区二区| 国产亚洲不卡一区二区| 在线免费国产一区二区三区| 日本不卡一本二本三区| 日韩中文字幕视频在线高清版| 中国黄色色片色哟哟哟哟哟哟| 欧美成人一区二区三区在线| 国产一区二区不卡在线视频| 日韩欧美亚洲综合在线| 亚洲天堂一区在线播放| 免费性欧美重口味黄色| 五月婷日韩中文字幕四虎| 一区二区日本一区二区欧美|