本文關(guān)鍵詞：一種L頻段高線性度低噪聲放大器的設(shè)計

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【摘要】：對低噪聲放大器線性度提高的方法進行分析�；趯�(dǎo)數(shù)交疊法,使兩個晶體管偏置在不同區(qū)域,并利用這兩個晶體管源端產(chǎn)生的相位差,抵消了3階項電流。采用TSMC 90nm CMOS工藝,實現(xiàn)了一款L頻段高線性度全差分低噪聲放大器,測試得到輸出3階交調(diào)點達30.6dBm,增益為14.54dB,噪聲系數(shù)為1.63dB,功耗為45mA@3.3V。
【作者單位】： 北京理工大學(xué)微電子技術(shù)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61201040,61301006) 高等學(xué)校學(xué)科創(chuàng)新“引智計劃”資助項目(B14010)
【分類號】：TN722.3
【正文快照】： 1引言隨著高新技術(shù)的飛速發(fā)展,射頻無線通信技術(shù)被廣泛應(yīng)用于諸多領(lǐng)域,如蜂窩(移動)電話、全球衛(wèi)星定位系統(tǒng)(GPS)、無線局域網(wǎng)(WLAN)和個人通信服務(wù)(PCS)等[1,2]。低噪聲放大器位于射頻接收系統(tǒng)的最前端,這要求它具有良好的噪聲系數(shù)和適當?shù)脑鲆?以便后級電路處理信號。此外,

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 尹亞蘭,武斌;低頻低噪聲放大器的屏蔽設(shè)計[J];電子工程師;2004年04期

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8 黃華;張海英;楊浩;尹軍艦;朱e，

本文編號：1178332