本文關(guān)鍵詞：DCVSL的SET特性分析

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【摘要】：利用SPICE電路模擬研究了DCVSL的SET特性。模擬了單端的SET脈沖在DCVSL中的傳播特性,結(jié)果表明單端的SET脈沖經(jīng)過兩級DCVSL反相器后就基本被消除了。模擬了在負(fù)載和閾值電壓不對稱的條件下,雙端的SET脈沖在DCVSL反相器鏈中的脈沖展寬效應(yīng)。結(jié)果表明,在最差情況下,DCVSL中的SET脈沖展寬效應(yīng)比CMOS更明顯;在典型情況下,雙端的SET脈沖在DCVSL反相器鏈的傳播過程中并沒有展寬。
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子科學(xué)技術(shù)研究院;
【分類號】：TN432
【正文快照】： 0 引言 隨著工藝特征尺寸的不斷減小,工作電壓不斷降低,節(jié)點電容不斷減小,數(shù)字電路中的單粒子瞬態(tài)(Single Event Transient,SET)效應(yīng)越來越嚴(yán)重[1,2]。單粒子瞬態(tài)來源于中子或者高能質(zhì)子對集成電路中敏感器件的轟擊。半導(dǎo)體器件中由于重離子轟擊產(chǎn)生的電子空穴對使得晶體管管

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