發(fā)布時間：2017-11-11 03:25

  本文關(guān)鍵詞：不同溫度下砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕特性研究

  更多相關(guān)文章： 摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕 溫度 砷化鎵 AFM

【摘要】：利用摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的方法,可在砷化鎵表面加工一系列的納米結(jié)構(gòu);該納米加工方法無需掩膜,且加工效率高、成本低,具有應(yīng)用前景.為了進(jìn)一步研究砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的特性,優(yōu)化加工參數(shù),本文作者在不同溫度下利用H_2SO_4-H_2O_2溶液對砷化鎵表面進(jìn)行選擇性刻蝕,考察了刻蝕后所形成的凸起高度及砷化鎵表面粗糙度隨刻蝕時間和刻蝕溫度的變化規(guī)律,闡釋了溫度對砷化鎵表面刻蝕的影響機(jī)制;最后從加工高度和表面粗糙度著眼,探討了砷化鎵表面摩擦誘導(dǎo)選擇性刻蝕的最佳條件.本研究為砷化鎵表面選擇性刻蝕加工的條件優(yōu)化提供了重要依據(jù).
【作者單位】： 西南交通大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院摩擦學(xué)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51305365) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20130184120008) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(2682015CX037)資助~~
【分類號】：TN304.23
【正文快照】：

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;砷化鎵王國神話破滅[J];電子與電腦;2004年08期

2 劉廣榮;;大慶佳昌成功拉制出國內(nèi)第一根直徑200mm砷化鎵單晶[J];半導(dǎo)體信息;2006年03期

3 沈熙磊;;美國制出電子態(tài)超純砷化鎵[J];半導(dǎo)體信息;2011年05期

4 沈仁s，

本文編號：1169618