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【摘要】：研究了一種新型非對(duì)稱柵隧穿場效應(yīng)晶體管(AG-TFET),新型結(jié)構(gòu)結(jié)合了隧穿場效應(yīng)晶體管陡峭的亞閾值擺幅與無結(jié)器件較大的開態(tài)電流的優(yōu)點(diǎn),其總電流大小受控于底部溝道勢壘和p+區(qū)與本征溝道區(qū)形成的反偏p-i隧穿結(jié)處的帶隙寬度以及電場強(qiáng)度。使用Silvaco TCAD軟件對(duì)器件性能進(jìn)行了仿真,并對(duì)p+區(qū)厚度以及底柵柵介質(zhì)二氧化鉿的長度進(jìn)行了優(yōu)化。仿真結(jié)果表明:新型AG-TFET具有良好的電學(xué)特性,在室溫下開關(guān)電流比可以達(dá)到3.3×1010,開態(tài)電流為302μA/μm,陡峭的亞閾值擺幅即點(diǎn)亞閾值擺幅為35 m V/dec,平均亞閾值擺幅為54 m V/dec。因此,該新型AG-TFET有望被應(yīng)用在未來低功耗電路中。
【作者單位】： 哈爾濱工程大學(xué)信息與通信工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51371063) 黑龍江省自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(ZD201413)
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 0引言對(duì)于較小特征尺寸的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)器件,由于受其亞閾值擺幅極限值(60 m V/dec)的限制,通過減小工作電壓將不能有效地降低器件的功耗。為了解決這一問題,研究人員提出了一種基于量子隧穿效應(yīng)工作原理的全新半導(dǎo)體器件——隧穿場效應(yīng)晶體管(tunnelF

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