本文關(guān)鍵詞：濺射氣壓對銦錫鋅氧化物薄膜晶體管性能的影響

  更多相關(guān)文章： 濺射氣壓 銦錫鋅氧化物薄膜晶體管 磁控濺射 光學(xué)帶隙

【摘要】：利用射頻磁控濺射技術(shù),在不同濺射氣壓下制備了銦錫鋅氧化物薄膜晶體管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT電學(xué)性能隨氣壓的變化規(guī)律。研究結(jié)果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均為耗盡型;隨著氣壓的增大,亞閾值擺幅及閾值電壓先減小后增大、場效應(yīng)遷移率逐漸減小,這是由載流子濃度和界面缺陷密度兩方面因素共同決定的。濺射氣壓為0.4 Pa時(shí),ITZO TFT綜合性能最好,場效應(yīng)遷移率高達(dá)24.32 cm~2/V·s,亞閾值擺幅為1.10 V/decade,電流開關(guān)比達(dá)到10~6。此外,ITZO有源層在可見光范圍內(nèi)的平均透過率超過80%,光學(xué)帶隙值在3.2~3.4 eV之間,隨氣壓的升高先減小后增大。
【作者單位】： 山東大學(xué)空間科學(xué)與物理學(xué)院;
【基金】：山東大學(xué)(威海)研究生科研創(chuàng)新基金項(xiàng)目(yjs13029) 山東省科技攻關(guān)課題(2014GGX102022)
【分類號(hào)】：TN321.5
【正文快照】： 薄膜晶體管(TFT)作為顯示器件的核心部件, 在液晶顯示、透明顯示及有源矩陣發(fā)光二極管等方面具有廣闊的應(yīng)用前景⑴。傳統(tǒng)的非晶硅TFT和多晶硅TFT遷移率較低、均勻性差,已不能滿足液晶顯示器對大尺寸屏幕顯示和高對比度畫質(zhì)的需求[2],新型金屬氧化物TFT的電學(xué)性能優(yōu)良,其遷移率

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 李青會(huì),干福熹;可用于光存儲(chǔ)的氧化物、次氧化物薄膜材料的研究及發(fā)展[J];光學(xué)技術(shù);2002年01期

2 李光;鄭艷彬;王文龍;姜志剛;;非晶銦鎵鋅氧化物薄膜的制備及其在薄膜晶體管中的應(yīng)用[J];硅酸鹽通報(bào);2012年01期

3 呂惠賓,楊國楨,陳凡,趙彤,周岳亮,陳正豪;激光分子束外延氧化物薄膜機(jī)理研究[J];中國科學(xué)(A輯);2000年10期

4 邱柳卿;;美國專利文摘[J];真空電子技術(shù);1990年01期

5 黃寧康;雙離子束技術(shù)沉積鋯氧化物薄膜及其背散射分析[J];原子能科學(xué)技術(shù);1995年01期

6 孫建平,惠春,徐愛蘭,劉宏偉;紫外光照下金屬氧化物薄膜氣敏特性研究進(jìn)展[J];電子元件與材料;2005年07期

7 安繼蕓;;摻雜氧化物源向硅中的高濃度砷擴(kuò)散[J];半導(dǎo)體情報(bào);1973年10期

8 申功烈;過渡金屬氧化物薄膜的離子敏變色效應(yīng)[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);1995年03期

9 戴國瑞,管玉國,焦伯恒,南金,許秀來,韓征,朱勇;多層氧化物薄膜氣體敏感特性的研究[J];云南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1997年02期

10 邵景珍;董偉偉;陶汝華;鄧贊紅;方曉東;;柔性透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備及其應(yīng)用[J];液晶與顯示;2009年05期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 吳良專;余愿;只金芳;;柔性過渡金屬氧化物薄膜的化學(xué)鍍[A];中國化學(xué)會(huì)第29屆學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集——第37分會(huì)：能源納米科學(xué)與技術(shù)[C];2014年

2 劉衛(wèi)國;張偉;周順;高愛華;;復(fù)合氧化物薄膜的金屬有機(jī)物化學(xué)相沉積技術(shù)[A];TFC'07全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2007年

3 黃寧康;汪德志;楊斌;雷家榮;;納米鋯氧化物薄膜的制備[A];納米材料和技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展——全國第二屆納米材料和技術(shù)應(yīng)用會(huì)議論文集（下卷）[C];2001年

4 楊國楨;呂惠賓;周岳亮;陳正豪;崔大復(fù);李林;;激光分子束外延制備氧化物薄膜研究[A];第三屆全國光學(xué)前沿問題討論會(huì)論文摘要集[C];1997年

5 張宏斌;祝要民;裴世輕;李董軒;趙勝利;;錫基氧化物薄膜的制備及結(jié)構(gòu)表征[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（4）[C];2007年

6 潘夢霄;曹興忠;孫建忠;王寶義;馬創(chuàng)新;周春蘭;魏龍;李養(yǎng)賢;;釩的氧化物薄膜微觀結(jié)構(gòu)的研究[A];第四屆全國磁性薄膜與納米磁學(xué)會(huì)議論文集[C];2004年

7 劉俊明;;復(fù)雜多元氧化物薄膜材料的脈沖激光沉積[A];中國真空學(xué)會(huì)第六屆全國會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2004年

8 趙昆;黃延紅;封家峰;呂惠賓;;鈣鈦礦氧化物薄膜的超快光電響應(yīng)[A];2005年中國固體科學(xué)與新材料學(xué)術(shù)研討會(huì)專輯[C];2005年

9 張群;;新型氧化物薄膜晶體管的研究進(jìn)展[A];TFC’09全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2009年

10 朱超;;幾種激光沉積金屬氧化物薄膜的抗近紅外性能的比較[A];2008全國功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇論文集[C];2008年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 浦海峰;新型氧化物薄膜晶體管材料及工藝研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年

2 于欣格;可用于柔性光電子器件的薄膜晶體管研究[D];電子科技大學(xué);2015年

3 李秀萍;鋅—鈰—鈦復(fù)合氧化物制備及光催化應(yīng)用研究[D];東北大學(xué);2014年

4 張國勇;強(qiáng)關(guān)聯(lián)氧化物薄膜光（熱）感生熱電勢效應(yīng)及探測器應(yīng)用[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

5 彭蔚蔚;幾種功能氧化物薄膜結(jié)構(gòu)的同步輻射紅外與太赫茲光譜研究[D];武漢理工大學(xué);2012年

6 譚娜;Er/Yb共摻氧化物薄膜的光致熒光特性、結(jié)構(gòu)特征及相關(guān)優(yōu)化理論分析[D];大連理工大學(xué);2006年

7 熊飛;鈣鈦礦型氧化物薄膜的激光感生熱電電壓效應(yīng)及光探測器應(yīng)用[D];昆明理工大學(xué);2008年

8 王曉祺;基于氧化物薄膜的光電器件及電阻轉(zhuǎn)變行為研究[D];上海大學(xué);2012年

9 唐金龍;ABO_3型氧化物薄膜表面結(jié)構(gòu)與界面應(yīng)力效應(yīng)的第一原理研究[D];電子科技大學(xué);2008年

10 杜娟;P型透明導(dǎo)電氧化物薄膜的研究[D];浙江大學(xué);2006年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 童楊;非晶銦錫鋅氧化物薄膜的制備及特性研究[D];山東大學(xué);2015年

2 劉文龍;銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管的制備和性能研究[D];電子科技大學(xué);2015年

3 張磊;新型銅氧化物薄膜異質(zhì)結(jié)太陽能電池的模擬研究[D];集美大學(xué);2015年

4 葉正平;鎳鋁復(fù)合氧化物薄膜的制備及其電吸附性能研究[D];北京化工大學(xué);2012年

5 霍麗娟;直流反應(yīng)磁控濺射法制備p型透明導(dǎo)電錫銻氧化物薄膜[D];浙江大學(xué);2006年

6 冀曉靜;鈦硅復(fù)合氧化物光催化劑的制備及光催化性能研究[D];中國石油大學(xué);2008年

7 王瑩瑩;低電位下鈦表面陽極氧化物薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)研究[D];華南理工大學(xué);2011年

8 田媛媛;層狀化合物及其復(fù)合金屬氧化物薄膜的制備與性能研究[D];北京化工大學(xué);2007年

9 趙靜;銅及其氧化物薄膜的磁控濺射法制備及對AP的催化性能研究[D];南京理工大學(xué);2012年

10 郭存亞;銅氧化物薄膜制備與性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2014年

，

本文編號(hào)：1149208