本文關鍵詞：倒裝SRAM型FPGA單粒子效應防護設計驗證

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【摘要】：在倒裝芯片的單粒子效應防護設計驗證中,重離子在到達器件敏感區(qū)前要經過幾百微米的襯底材料,需要計算器件敏感區(qū)中離子的線性能量傳輸(LET)值。采用蘭州重離子加速器加速的55 Me V/μ58Ni離子對基于倒裝的Xilinx公司550萬門現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)實現(xiàn)的典型系統(tǒng)的單粒子效應防護設計進行了試驗驗證,采用SRIM、FLUKA和GEANT等不同方法對試驗中的LET值進行了分析,同時將SRIM分析的典型結果與基于磁偏轉飛行時間法的試驗數據進行了比較,發(fā)現(xiàn)與現(xiàn)有的重離子分析結果有一定差異。因此在防護驗證中采用離子LET作為主要參數的情況下,應對重離子(尤其是高能段)的LET的計算方法進行約定,以規(guī)范試驗過程,增強數據的可比性。
【作者單位】： 北京空間飛行器總體設計部;
【關鍵詞】： 靜態(tài)隨機存儲器型現(xiàn)場可編程門陣列 倒裝芯片 單粒子效應 重離子 線性能量傳輸
【基金】：國家自然科學基金資助項目(11675013)
【分類號】：TN791
【正文快照】： 現(xiàn)代的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)型現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)采用最先進的半導體工藝,內部資源豐富,功能復雜,可以多次編程。在具有強大功能的同時,SRAM型FPGA是可重構計算、系統(tǒng)芯片(System on Chip,So C)系統(tǒng)的硬件載體,可支持在軌修改設計錯誤、算法和軟件的改變和更新等。Xilinx

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