本文關(guān)鍵詞：光照區(qū)域結(jié)構(gòu)參數(shù)對硅光電晶體管性能的影響

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【摘要】：利用Silvaco-TCAD半導(dǎo)體器件仿真軟件,全面系統(tǒng)地分析了光照區(qū)域結(jié)構(gòu)參數(shù)對硅NPN型紅外光電晶體管光電轉(zhuǎn)換特性的影響。仿真結(jié)果表明:厚度為240 nm/130 nm的SiO_2/Si_3N_4雙層減反射膜在特征波長(λ=0.88μm)處具有最優(yōu)的光吸收效果和峰值光響應(yīng)度(RM);為滿足器件對紅外波段的有效吸收和響應(yīng),外延層厚度應(yīng)選擇為55~60μm;提高外延層電阻率雖可增大集-射擊穿電壓(BVCEO),但較高的外延層電阻率同時會降低紅外波段光譜響應(yīng)度;為了獲得較高的紅外光譜響應(yīng)度,同時抑制可見光波段的響應(yīng),光照區(qū)域基區(qū)表面濃度應(yīng)選擇為5×1019cm~(-3),結(jié)深應(yīng)選擇為2.5μm。
【作者單位】： 渤海大學(xué)新能源學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 光電晶體管 減反射膜 電阻率 少子壽命 摻雜濃度 光譜響應(yīng)度
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(11304020)
【分類號】：TN364.3
【正文快照】： 1引言雖然新型化合物半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)使得硅基光電晶體管的發(fā)展受到一定限制,但硅基光電晶體管仍以光譜響應(yīng)度高、漏電小、性能穩(wěn)定可靠、與半導(dǎo)體集成電路工藝兼容、制備成本低等顯著優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于光電檢測系統(tǒng)、光通信領(lǐng)域等方面,特別是在光電耦合和紅外探測領(lǐng)域得到了十

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本文編號：1110083