本文關(guān)鍵詞：基于KH550-GO固態(tài)電解質(zhì)中電容耦合作用的雙側(cè)柵IZO薄膜晶體管

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【摘要】：本文利用旋涂技術(shù)在氧化銦錫塑料襯底上,制備了硅烷偶聯(lián)劑(γ-氨丙基三乙氧基硅烷)-氧化石墨烯固態(tài)電解質(zhì);以此固態(tài)電解質(zhì)作為柵介質(zhì),進(jìn)一步研究了雙側(cè)柵耦合電場質(zhì)子/電子雜化氧化銦鋅薄膜晶體管的電學(xué)特性.研究發(fā)現(xiàn)γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固態(tài)電解質(zhì)的雙電層電容和質(zhì)子電導(dǎo)率分別高達(dá)2.03μF/cm~2和6.99×10~(-3)S/cm;由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯復(fù)合固態(tài)電解質(zhì)具有較大的雙電層電容和質(zhì)子電導(dǎo)率,利用其作為柵介質(zhì)的質(zhì)子/電子雜化氧化銦鋅薄膜晶體管功耗低(其工作電壓僅為約2 V),其開關(guān)比和場效應(yīng)遷移率分別為1.23×10~7和24.72 cm~2/(V·s).由于γ-氨丙基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯固態(tài)電解質(zhì)的電容耦合作用,氧化銦鋅薄膜晶體管在雙側(cè)柵電壓刺激下,可有效地調(diào)控器件的閾值電壓、亞閾值擺幅和場效應(yīng)遷移率,并可實(shí)現(xiàn)"與"門邏輯運(yùn)算功能.
【作者單位】： 江蘇大學(xué)微納米科學(xué)技術(shù)研究中心;常州大學(xué)江蘇省光伏科學(xué)與工程協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】： KH-GO復(fù)合固態(tài)電解質(zhì) 雙電層效應(yīng) 質(zhì)子導(dǎo)體膜 電容耦合
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:51402321) 江蘇省光伏科學(xué)與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育建設(shè)點(diǎn)開放課題基金(批準(zhǔn)號:SKLPSTKF201503) 江蘇省博士后科研資助計(jì)劃(批準(zhǔn)號:1402071B) 江蘇大學(xué)高級人才基金(批準(zhǔn)號:14JDG049)資助的課題~~
【分類號】：TN321.5
【正文快照】： 1引言 低壓雙電層氧化物薄膜晶體管在多態(tài)存儲器、探測器、電化學(xué)傳感器、生物神經(jīng)突觸仿真等微器件領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用前景和科學(xué)研究價值[1-5].此外,低壓雙電層氧化物薄膜晶體管因具有高的遷移率、高的可見光透射率和可低溫制備等特點(diǎn),受到研究人員的極大關(guān)注[6,7].目前對

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