本文關(guān)鍵詞：水浴法制備CdS薄膜產(chǎn)生的本征缺陷對光電學(xué)性質(zhì)的影響

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【摘要】：采用化學(xué)水浴沉積法(CBD)在鈉鈣玻璃襯底上制備硫化鎘(CdS)薄膜,研究不同硫酸鎘(CdSO_4)濃度下產(chǎn)生的本征缺陷對CdS薄膜光電學(xué)性質(zhì)的影響。采用光致發(fā)光光譜、紫外-可見分光光度計及霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)對薄膜的本征缺陷、光學(xué)及電學(xué)性質(zhì)進行分析,發(fā)現(xiàn)CdS薄膜主要存在鎘間隙(Cdi)及硫空位(VS)等本征缺陷,且VS隨CdSO_4濃度的降低而逐漸減少。同時,VS缺陷的減少有利于薄膜透過率的提高,但在一定程度上降低了薄膜的電導(dǎo)率。根據(jù)透過率及其相關(guān)公式可知,半導(dǎo)體材料中透過率與電導(dǎo)率成e指數(shù)反比關(guān)系,適當減小薄膜的電導(dǎo)率可以使其透過率得到大幅度的提高,理論解釋與實驗結(jié)果相一致。
【作者單位】： 吉林化工學(xué)院材料科學(xué)與工程學(xué)院;吉林化工學(xué)院機電工程學(xué)院;吉林化工學(xué)院化學(xué)與制藥工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 本征缺陷 CdS薄膜 化學(xué)水浴沉積法 電學(xué)性質(zhì) 光學(xué)性質(zhì)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.21404100) 吉林市科技局基金(No.20156423)資助項目
【分類號】：TN304.25
【正文快照】： Cd S多晶薄膜是一種n型直接帶隙半導(dǎo)體材料,屬于Ⅱ-Ⅵ族化合物,禁帶寬度約為2.42 e V,由于它具有合適的帶隙,所以廣泛應(yīng)用在太陽能電池領(lǐng)域。Cd S薄膜與碲化鎘(Cd Te)、銅銦鎵硒(Cu2(In,Ga)Se2)、銅鋅錫硫(Cu2Zn Sn S4)等吸收層形成p-n結(jié)后,相對于其他硫化物或氧化物薄膜,其晶

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本文編號：1070671