本文關(guān)鍵詞：MEMS懸浮結(jié)構(gòu)深反應(yīng)離子刻蝕保護(hù)方法對(duì)比研究

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【摘要】：分別對(duì)基于硅玻鍵合與硅硅鍵合的MEMS加工工藝中懸浮結(jié)構(gòu)深反應(yīng)離子刻蝕保護(hù)方法進(jìn)行對(duì)比研究,獲得最佳結(jié)構(gòu)刻蝕保護(hù)方法�；诠璨ｆI合工藝的最佳刻蝕保護(hù)方法:在結(jié)構(gòu)層背面濺射金屬作為保護(hù)層;基于硅硅鍵合工藝的最佳刻蝕保護(hù)方法:將結(jié)構(gòu)刻通區(qū)域襯底硅暴露及結(jié)構(gòu)層背面制作圖形化的Si O2保護(hù)層相結(jié)合的方式保護(hù)。結(jié)構(gòu)保護(hù)后,經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間過(guò)刻蝕,結(jié)構(gòu)依然完整無(wú)損。
【作者單位】： 華東光電集成器件研究所;
【關(guān)鍵詞】： MEMS 硅玻鍵合 硅硅鍵合 深反應(yīng)離子刻蝕 保護(hù)方法
【分類(lèi)號(hào)】：TN305.7
【正文快照】： 隨著科學(xué)研究的不斷發(fā)展及制造工具的不斷進(jìn)步,以尺寸小、功耗低、批量化生產(chǎn)為特征的微機(jī)電系統(tǒng)MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems)已成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。MEMS器件在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、航空航天、生物醫(yī)學(xué)、信息技術(shù)等領(lǐng)域已有廣泛應(yīng)用,在世界范圍內(nèi),其市場(chǎng)銷(xiāo)售量呈

【相似文獻(xiàn)】

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