發(fā)布時間：2017-10-18 13:29

  本文關(guān)鍵詞：InZnO:N薄膜晶體管的研制

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【摘要】：薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域,隨著人們對顯示器件尺寸和性能需求的提高,非晶硅TFT因遷移率太低(小于1cm2/Vs)、多晶硅TFT大面積一致性差以及對可見光敏感等缺點已不能滿足其在工業(yè)上的應(yīng)用。以ZnO為代表的金屬氧化物薄膜晶體管以光敏性弱、遷移率高、開口率高等優(yōu)點吸引了越來越多的關(guān)注和研究。但是,ZnO基TFT現(xiàn)階段也存在如0空位、Zn填隙等缺陷,性能不穩(wěn)定,遷移率還不足夠高等問題,這些都限制了透明金屬氧化物TFT的進一步發(fā)展。針對以上問題,我們用磁控濺射的方法研制了InZnO:N-TFT,并通過優(yōu)化制備InZnO:N薄膜的條件,提高InZnO:N-TFT的電學(xué)性能。本文主要研究工作如下：一、研究了有源層厚度對InZnO:N-TFT性能的影響,結(jié)果表明,隨著InZnO:N薄膜厚度的增加,遷移率先增加后減小。當(dāng)有源層厚度為30nm時器件性能最佳,其遷移率為37.1cm2/Vs,閾值電壓為-9.1 V,開關(guān)比為2.4E+07；二、研究了退火溫度對InZnO:N-TFT性能的影響,結(jié)果表明,在一定范圍內(nèi)隨著退火溫度的增加,器件性能逐漸變好；退火溫度過高時,器件性能急劇退化。當(dāng)退火溫度為950℃時,晶體管性能最佳,其遷移率為37.1cm2/V s,閾值電壓為-9.1 V,開關(guān)比為2.4E+07；三、研究了器件濺射過程中O2/Ar對InZnO:N-TFT性能的影響,實驗發(fā)現(xiàn)適量的氧氣可以幫助提高有源層的質(zhì)量,當(dāng)氧氣流量為1SCCM時,即O2/Ar等于1／30時,器件性能最佳,其遷移率為39.3cm2/Vs,閾值電壓為2.4 V,開關(guān)比為2.2E+07。四、研究了器件溝道寬長比及溝道長對器件性能的影響,實驗發(fā)現(xiàn),在固定溝道寬的情況下,隨著寬長比的減小器件性能退化；在固定寬長比的情況下,器件性能隨著溝道長的減小而增強。
【關(guān)鍵詞】：InZnO:N 薄膜晶體管 遷移率 開關(guān)比
【學(xué)位授予單位】：北京交通大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN321.5
【目錄】：

• 致謝5-6
• 中文摘要6-7
• ABSTRACT7-10
• 第一章 緒論10-20
• 1.1 引言10-11
• 1.2 薄膜晶體管的應(yīng)用及發(fā)展11-14
• 1.2.1 不同應(yīng)用背景對TFT技術(shù)的需求11-13
• 1.2.2 不同半導(dǎo)體材料TFT的比較13-14
• 1.3 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)、原理及性能表征14-18
• 1.3.1 薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)14-15
• 1.3.2 薄膜晶體管的原理15-16
• 1.3.3 薄膜晶體管的性能表征16-18
• 1.4 本文的研究目標(biāo)及選題意義18
• 1.5 論文的主要內(nèi)容和章節(jié)安排18-20
• 第二章 有源層厚度對InZnO：N-TFT性能的影響20-28
• 2.1 器件制備20-21
• 2.2 分析與討論21-27
• 2.3 本章小結(jié)27-28
• 第三章 退火溫度對InZnO：N-TFT性能的影響28-34
• 3.1 器件制備28-29
• 3.2 分析與討論29-33
• 3.3 本章小結(jié)33-34
• 第四章 O_2/Ar對InZnO: N-TFT性能的影響34-39
• 4.1 器件制備34
• 4.2 分析與討論34-38
• 4.3 本章小結(jié)38-39
• 第五章 溝道寬長比、溝道長對InZnO：N-TFT性能的影響39-46
• 5.1 器件制備39
• 5.2 分析與討論39-45
• 5.2.1 寬長比對InZnO：N-TFT性能的影響39-42
• 5.2.2 溝道長對InZnO：N-TFT性能的影響42-45
• 5.3 本章小結(jié)45-46
• 第六章 結(jié)論46-47
• 參考文獻47-50
• 作者簡歷及攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果50-52
• 學(xué)位論文數(shù)據(jù)集52

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;薄膜晶體管專業(yè)圖書介紹[J];液晶與顯示;2008年04期

2 ;新型雙柵薄膜晶體管研究取得進步[J];傳感器世界;2011年10期

3 ;實驗性的薄膜晶體管[J];電子計算機動態(tài);1961年12期

4 吳茂林;;采用多晶硅的高壓薄膜晶體管[J];電子技術(shù);1989年11期

5 何曉陽;薄膜晶體管制作工藝的發(fā)展概況[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年02期

6 王偉,石家緯,郭樹旭,劉明大,全寶富;并五苯薄膜晶體管及其應(yīng)用[J];半導(dǎo)體光電;2004年04期

7 林明通;余峰;張志林;;氧化鋅基薄膜晶體管最新研究進展[J];光電子技術(shù);2008年04期

8 楊小天;馬仙梅;朱慧超;高文濤;金虎;齊曉薇;高博;董秀茹;付國柱;荊海;王超;常遇春;杜國同;曹健林;;氧化鋅基薄膜晶體管制備與研究(英文)[J];電子器件;2008年01期

9 王雄;才璽坤;原子健;朱夏明;邱東江;吳惠楨;;氧化鋅錫薄膜晶體管的研究[J];物理學(xué)報;2011年03期

10 ;寧波材料所在新型雙電層薄膜晶體管領(lǐng)域取得新進展[J];功能材料信息;2011年04期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 董桂芳;邱勇;;并五苯薄膜晶體管穩(wěn)定性研究[A];中國化學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集（下冊）[C];2006年

2 張群;;非晶氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的研究進展[A];2013年廣東省真空學(xué)會學(xué)術(shù)年會論文集[C];2013年

3 王喜章;染谷隆夫;胡征;陳懿;;n-和p-型有機半導(dǎo)體涂層對五并苯薄膜晶體管性能促進效應(yīng)[A];中國化學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集（下冊）[C];2006年

4 焦兵兵;王東興;劉躍;趙洪;;有機半導(dǎo)體酞菁銅雙極薄膜晶體管制備與特性[A];第十三屆全國工程電介質(zhì)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2011年

5 邱龍臻;;基于有機半導(dǎo)體納米線復(fù)合材料的薄膜晶體管[A];2011年全國高分子學(xué)術(shù)論文報告會論文摘要集[C];2011年

6 岳蘭;張群;;高遷移率Al-In-Zn-O氧化物薄膜晶體管的研究[A];中國真空學(xué)會2012學(xué)術(shù)年會論文摘要集[C];2012年

7 曾祥斌;孫小衛(wèi);李俊峰;齊國鈞;;電場增強金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化制備多晶硅薄膜和薄膜晶體管[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集Ⅲ[C];2004年

8 于愛芳;郜展;李宏宇;唐皓穎;江鵬;;濕化學(xué)法修飾的ZnO納米結(jié)構(gòu)薄膜晶體管的構(gòu)造及性能研究[A];中國化學(xué)會第27屆學(xué)術(shù)年會第04分會場摘要集[C];2010年

9 李榮金;李洪祥;胡文平;朱道本;;一種并五苯類似物的微米晶及各向異性電荷傳輸[A];全國第八屆有機固體電子過程暨華人有機光電功能材料學(xué)術(shù)討論會摘要集[C];2010年

10 蔡俊;陳偉;;基于PIC24FJ128DA210的TFT-LCD控制設(shè)計[A];全國冶金自動化信息網(wǎng)2014年會論文集[C];2014年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 吉通;通海高科將公開發(fā)行新股[N];中國工商報;2000年

2 鄭金武;國內(nèi)最大薄膜晶體管液晶顯示器件生產(chǎn)線建成[N];中國有色金屬報;2004年

3 羅清岳;非晶硅與多晶硅薄膜晶體管技術(shù)[N];電子資訊時報;2007年

4 本報記者 姜虹;秋逸盛：大尺寸面板難題已破[N];中華工商時報;2012年

5 中國軟件評測中心 中國計算機報測試實驗室 康健;Philips150x看過來[N];中國計算機報;2001年

6 中國計算機報測試實驗室 康健;“瘦”的魅力[N];中國計算機報;2000年

7 記者 劉霞;基于新型碳納米管的薄膜晶體管問世[N];科技日報;2011年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 強蕾;非晶半導(dǎo)體薄膜晶體管模型研究及參數(shù)提取[D];華南理工大學(xué);2015年

2 陳勇躍;氧化物電子材料及其在薄膜晶體管的應(yīng)用研究[D];浙江大學(xué);2015年

3 于浩;基于雙層結(jié)構(gòu)InGaZnO/InGaZnO:N薄膜晶體管及憶阻器件的研究[D];東北師范大學(xué);2015年

4 武辰飛;非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管的器件物理研究[D];南京大學(xué);2016年

5 王槐生;薄膜晶體管器件在動態(tài)應(yīng)力下的退化研究[D];蘇州大學(xué);2016年

6 肖鵬;氧化物薄膜晶體管及其有源材料的研究[D];華南理工大學(xué);2016年

7 卓明;基于金屬氧化物半導(dǎo)體的微納傳感器制備及其性能研究[D];湖南大學(xué);2015年

8 李彬;氧化銦基薄膜晶體管的制備與性能研究[D];北京交通大學(xué);2016年

9 姚綺君;基于氧化物半導(dǎo)體的薄膜晶體管[D];清華大學(xué);2009年

10 袁龍炎;氧化鉿/氮氧化鉿柵介質(zhì)金屬氧化物薄膜晶體管的研制[D];武漢大學(xué);2010年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 周大祥;非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管光照穩(wěn)定性的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

2 王曉林;隧穿效應(yīng)薄膜晶體管制備與特性分析[D];哈爾濱理工大學(xué);2013年

3 晁晉予;InZnO雙電層薄膜晶體管及其低壓反相器應(yīng)用研究[D];中北大學(xué);2016年

4 錢慧敏;非晶銦鎵鋅氧基薄膜晶體管與肖特基二極管電學(xué)穩(wěn)定性研究[D];南京大學(xué);2016年

5 蔣雙鶴;低壓銦鋅氧雙電層晶體管研究[D];南京大學(xué);2016年

6 湯蘭鳳;非晶IGZO薄膜晶體管的光照特性研究[D];南京大學(xué);2016年

7 郭雪凱;薄膜晶體管電容電壓特性及其模型研究[D];蘇州大學(xué);2016年

8 彭云飛;InZnO:N薄膜晶體管的研制[D];北京交通大學(xué);2016年

9 孔曦;p型SnO薄膜晶體管的制備及性能研究[D];山東大學(xué);2016年

10 徐思維;機械應(yīng)力下多晶硅薄膜晶體管和負(fù)柵壓偏置下非晶銦鎵鋅氧薄膜晶體管的可靠性研究[D];蘇州大學(xué);2016年

，

本文編號：1055184