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L波段900W高功率脈沖放大模塊設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-10-18 05:51

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【摘要】:基于L波段500W的LDMOS功放管,本文成功實(shí)現(xiàn)一款900W的固態(tài)脈沖功率放大模塊;實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該脈沖功率放大器可應(yīng)用于航管頻段的ATC應(yīng)答機(jī)、塔康等高功率發(fā)射機(jī)中,為航管高功率發(fā)射機(jī)提供一種低成本解決方案。
【作者單位】: 四川九洲電器集團(tuán)有限責(zé)任公司;
【關(guān)鍵詞】L波段 LDMOS 功率放大器
【分類號(hào)】:TN722.75
【正文快照】: LDMOS比雙極型器件具有更好的散熱性能。鑒引言于LDMOS晶體管放大器良好的性能,被廣泛應(yīng)近年來(lái),隨著先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)不斷深入發(fā)用于各種高功率放大器模塊中[3-7]。展,對(duì)固態(tài)功率放大器設(shè)計(jì)提供更多、更優(yōu)解決本文針對(duì)現(xiàn)在航管頻段ATC應(yīng)答機(jī)、塔康等方案。固態(tài)高功率放大器主要

【相似文獻(xiàn)】

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5 崔其暉;劉斯揚(yáng);錢欽松;孫偉鋒;蘇巍;張森;何乃龍;;700V高壓LDMOS器件瞬態(tài)失效機(jī)理研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2012年04期

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中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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4 鄧蘭萍;高壓LDMOS器件的設(shè)計(jì)與應(yīng)用[D];清華大學(xué);2005年

5 高正鑫;一種新型功率器件:多孔硅LDMOS的設(shè)計(jì)和研究[D];上海交通大學(xué);2008年

6 馬立憲;LDMOS微波寬帶功率放大器設(shè)計(jì)[D];安徽大學(xué);2011年

7 王倫;0.18μm CMOS技術(shù)中功率LDMOS器件的電流特性研究[D];復(fù)旦大學(xué);2009年

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本文編號(hào):1053306

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