本文關(guān)鍵詞：功率變換器去耦電容參數(shù)選擇與過電壓預(yù)測

  更多相關(guān)文章： 絕緣柵雙極晶體管開關(guān)模塊 電磁干擾 預(yù)測 過電壓 去耦電容 參數(shù)選擇

【摘要】：功率變換器在高速開通與關(guān)斷的過程中產(chǎn)生的電磁干擾影響系統(tǒng)的正常運(yùn)行,提出一種基于絕緣柵雙極晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)開關(guān)模塊的功率變換器電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)噪聲源建模方法,可以精確的預(yù)測整個(gè)傳導(dǎo)干擾頻段內(nèi)的EMI噪聲。分析去耦電容對(duì)電路的影響,基于IGBT模塊等效電磁干擾噪聲源模型來預(yù)測功率變換器產(chǎn)生的過電壓,通過對(duì)過電壓的分析選擇去耦電容的參數(shù),整個(gè)分析體現(xiàn)如何應(yīng)用該模型進(jìn)行參數(shù)選擇的過程。最后,仿真和實(shí)驗(yàn)表明參數(shù)選擇的正確性。
【作者單位】： 哈爾濱理工大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 絕緣柵雙極晶體管開關(guān)模塊 電磁干擾 預(yù)測 過電壓 去耦電容 參數(shù)選擇
【基金】：中國博士后科學(xué)基金(2015M571427)
【分類號(hào)】：TN624;TN322.8
【正文快照】： 范其電磁干擾(electromagnetic interference,EMI)0引言噪聲的產(chǎn)生[1-3]。由于在設(shè)計(jì)階段沒有獲得變換器的隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,越來越多的使用帶EMI噪聲發(fā)射模型,電磁干擾的抑制通常都是在整有高速開關(guān)器件的功率變換器,這就必須關(guān)注和規(guī)個(gè)變換器系統(tǒng)建成以后再進(jìn)行設(shè)計(jì),

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 喬俊生;;淺談變頻器的保護(hù)及應(yīng)用[J];山西焦煤科技;2010年04期

2 程長雙;唐建中;蘭志利;;變頻器常見故障與對(duì)策[J];內(nèi)蒙古石油化工;2008年01期

3 傅靜,徐政,孫丹峰;壓敏電阻器的應(yīng)用與發(fā)展[J];江蘇陶瓷;2002年04期

4 ;[J];;年期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 李洪濤;丁伯南;謝衛(wèi)平;鄧建軍;王厚明;王玉娟;傅貞;萬步勇;任靖;孟維濤;龔德森;;激光觸發(fā)多級(jí)多通道開關(guān)[A];中國工程物理研究院科技年報(bào)（2001）[C];2001年

，

本文編號(hào)：1053111