發(fā)布時間：2017-10-18 03:13

  本文關(guān)鍵詞：一種新型封裝肖特基二極管的設(shè)計與制造

  更多相關(guān)文章： 晶圓級封裝(WLP)產(chǎn)品 肖特基二極管 磷穿透工藝 DSN-封裝

【摘要】：隨著電子產(chǎn)品小型化、便攜化需求的不斷提升,芯片體積不斷縮小已是目前電子元器件發(fā)展的方向。本文介紹了一種新型封裝的肖特基二極管的設(shè)計與制造技術(shù),包括其版圖設(shè)計、工藝設(shè)計、技術(shù)優(yōu)點、測試方法與測試結(jié)果。該產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)是晶圓級封裝(WLP)技術(shù)。晶圓級封裝(WLP)產(chǎn)品將使芯片體積減小到最小值,進一步推進電子產(chǎn)品小型化、便攜化的進程。磷穿透工藝使肖特基二極管實現(xiàn)了體積最小成為可能,是實現(xiàn)產(chǎn)品體積最小化的關(guān)鍵技術(shù),同時也由于減少芯片二次封裝使產(chǎn)品可靠性得到了提升。
【作者單位】： 天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司;
【關(guān)鍵詞】： 晶圓級封裝(WLP)產(chǎn)品 肖特基二極管 磷穿透工藝 DSN-封裝
【分類號】：TN311.7
【正文快照】： 1概述隨著電子產(chǎn)品小型化、便攜化需求的不斷提升,芯片體積不斷縮小已是目前電子元器件發(fā)展的方向,同時也提升了產(chǎn)品的可靠性[1-4]。本文介紹一種新型封裝的肖特基二極管的制造技術(shù),該產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)是晶圓級封裝(WLP)技術(shù),即在圓片的生產(chǎn)過程中使用磷穿透工藝,將分立器件相對

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1 陳雨;范曉強;蔣勇;吳健;白立新;柏松;陳剛;李理;;4H-SiC肖特基二極管α探測器研究[J];核電子學(xué)與探測技術(shù);2013年01期

2 唐海林;;太赫茲肖特基二極管技術(shù)研究進展[J];太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報;2013年06期

3 傅恩生;肖特基二極管中磁場的超快產(chǎn)生[J];激光與光電子學(xué)進展;2003年02期

4 Andreas Lindemann;;功率半導(dǎo)應(yīng)用專欄(連載)(七)一種新型的砷化鎵功率肖特基二極管的電氣特性[J];電源世界;2004年08期

5 羅小蓉,李肇基,張波,龔敏;6H-SiC肖特基二極管的特性研究[J];微電子學(xué);2004年01期

6 郭文閣;張延曹;鄭建邦;任駒;;一種有機/金屬肖特基二極管的實驗研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報;2006年03期

7 Michael Hallenberger;Kerstin Hubel;;面向多種電源應(yīng)用的第二代碳化硅肖特基二極管[J];電子產(chǎn)品世界;2006年20期

8 段毅;馬衛(wèi)東;呂長志;李志國;;基于參數(shù)退化法評價功率肖特基二極管壽命[J];半導(dǎo)體技術(shù);2009年01期

9 江興;;具有雙面冷卻功能的30V單片功率MOSFET和肖特基二極管[J];半導(dǎo)體信息;2009年02期

10 江興;;英飛凌推出第三代碳化硅肖特基二極管[J];半導(dǎo)體信息;2009年05期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前7條

1 何放;陳舢;;微波肖特基二極管的優(yōu)化設(shè)計與制造[A];1993年全國微波會議論文集（下冊）[C];1993年

2 陳剛;陳雪蘭;柏松;李哲洋;韓平;;4H-SiC外延中的缺陷及其對肖特基二極管的影響[A];第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會議論文集[C];2008年

3 李實;李秦龍;;一種基于肖特基二極管的預(yù)失真線性化器[A];中國電子學(xué)會真空電子學(xué)分會第十九屆學(xué)術(shù)年會論文集（上冊）[C];2013年

4 姚常飛;徐金平;;太赫茲GaAs肖特基二極管電路模型研究[A];2009年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2009年

5 羅小蓉;張波;李肇基;;SiC肖特基二極管的特性研究[A];展望新世紀——’02學(xué)術(shù)年會論文集[C];2002年

6 羅小蓉;張波;李肇基;;SiC肖特基二極管的特性研究[A];中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子學(xué)會第八屆學(xué)術(shù)年會論文集[C];2002年

7 程綱;杜祖亮;;單根CuO納米線背對背肖特基二極管的非對稱輸運特性[A];中國化學(xué)會第二十五屆學(xué)術(shù)年會論文摘要集（上冊）[C];2006年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 吉林 姜蘭舉;肖特基二極管原理及應(yīng)用[N];電子報;2008年

2 武漢 余俊芳;部分面接觸式肖特基二極管主要特性參數(shù)與代換型號[N];電子報;2008年

3 安徽 秦軍 編譯;性能優(yōu)于肖特基二極管的極性保護器[N];電子報;2014年

4 四川 張達編譯;超小型白色LED驅(qū)動IC[N];電子報;2004年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 任娜;新型碳化硅功率二極管的研究[D];浙江大學(xué);2015年

2 王福學(xué);GaN材料的缺陷分布及工藝設(shè)計對器件性能的影響研究[D];南京大學(xué);2011年

3 劉海瑞;基于平面肖特基二極管的準光檢波器研究[D];北京郵電大學(xué);2013年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 徐艷明;SiC MOSFET PSpice建模及應(yīng)用[D];北京交通大學(xué);2016年

2 王曉風(fēng);InAlN/GaN肖特基二極管電流傳輸機制研究[D];南京大學(xué);2014年

3 李蓓;肖特基二極管相關(guān)材料生長及器件研究[D];浙江大學(xué);2003年

4 羅小蓉;6H-SiC肖特基二極管的特性研究[D];四川大學(xué);2001年

5 孫子茭;4H-SiC肖特基二極管的研究[D];電子科技大學(xué);2013年

6 芮麗;耐高壓肖特基二極管的研究[D];蘭州交通大學(xué);2015年

7 夭雪;4H-SiC肖特基二極管在功率因數(shù)校正電路中的應(yīng)用研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

8 李婷;功率肖特基二極管及其關(guān)鍵技術(shù)研究[D];哈爾濱工程大學(xué);2012年

9 徐立坤;新型結(jié)構(gòu)功率肖特基二極管及其模擬研究[D];哈爾濱工程大學(xué);2013年

10 苗志坤;4H-SiC結(jié)勢壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究[D];哈爾濱工程大學(xué);2013年

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