本文關鍵詞：傳輸線脈沖對電子線路干擾的仿真和測試

  更多相關文章： 靜電放電 傳輸線脈沖發(fā)生器 S參數(shù) 耦合

【摘要】：靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)是常見電磁騷擾(Electromagnetic Disturbance)的一種,會給電子器件或設備帶來嚴重的干擾,甚至造成設備或器件損壞,所以對電子產(chǎn)品進行靜電抗擾測試十分必要。傳統(tǒng)的基于IEC61000-4-2標準生產(chǎn)制作的靜電放電發(fā)生器由于存在諸可重復性較低、不一樣的廠家按照該標準生產(chǎn)的發(fā)生器會得到不同結果等問題,在進行抗擾測試時具有明顯不足,因此傳輸線脈沖發(fā)生器(Transmission Line Pulse, TLP)得以在靜電抗擾測試中得到應用發(fā)展,用以模擬靜電放電對被測設備(Device Under Test, DUT)的干擾。所以研究傳輸線脈沖發(fā)生器以及TLP與DUT的耦合關系,具有十分重要的意義。本文根據(jù)傳輸線原理,分析了傳輸線脈沖的產(chǎn)生過程,并對其影響因素進行了研究,搭建了實際的TLP發(fā)生器,并對傳輸線脈沖測試搭載的激勵探頭模型進行測試,這些激勵探頭可以模擬靜電放電不同耦合形式。本文分為三個部分,首先對傳輸線脈沖發(fā)生器的原理進行了分析闡述,根據(jù)傳輸線原理以及波的反射折射,分析了傳輸線脈沖方波的產(chǎn)生過程,并根據(jù)傳輸線脈沖發(fā)生器的原理結構分析了可能影響方波脈寬、上升時間等方面的影響因素,針對各個因素利用Simulink軟件搭建了仿真模型進行仿真,得到每種因素對于波形影響的仿真結果；其次,傳輸線搭建了實際的TLP發(fā)生器,得到波形較為理想的傳輸線脈沖方波。并且對TLP發(fā)生器的各個部分采用了不同元件進行對比測試,以達到產(chǎn)生較為理想的波形效果。結果可以很好的將產(chǎn)生的TLP方波的上升沿控制在800ps,過沖現(xiàn)象得到抑制；最后,簡要介紹了TLP測試時常用的激勵探頭以及各類探頭的作用機理,闡述了S參數(shù)的意義,以及二端口網(wǎng)絡的S參數(shù)與Y參數(shù)和Z參數(shù)的轉換關系,并給出了一種二端口網(wǎng)絡Y參數(shù)的等效模型。使用矢量網(wǎng)絡分析儀對實驗室自制TLP測試用的電場探頭、水平磁場探頭、垂直磁場探頭以及注入探頭與簡單電子線路的耦合進行S參數(shù)測量,并根據(jù)S參數(shù)與Y參數(shù)和Z參數(shù)的轉換關系得到了上述各類激勵探頭二端口網(wǎng)絡的Y參數(shù)Π型等效電路以及Z參數(shù)T型等效電路,根據(jù)Y參數(shù)該種等效模型,分析了各類探頭與簡單電子線路的耦合關系。
【關鍵詞】：靜電放電 傳輸線脈沖發(fā)生器 S參數(shù) 耦合
【學位授予單位】：山東大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TN06
【目錄】：

• 摘要8-9
• ABSTRACT9-11
• 第一章 緒論11-19
• 1.1 課題背景及意義11-12
• 1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀12-18
• 1.2.1 國外研究現(xiàn)狀12-14
• 1.2.2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀14-18
• 1.3 本文主要工作18-19
• 第二章 TLP原理及脈沖影響因素的仿真19-29
• 2.1 傳輸線脈沖(TLP)產(chǎn)生原理及其系統(tǒng)結構19-22
• 2.1.1 TLP產(chǎn)生原理19-21
• 2.1.2 TLP系統(tǒng)結構21-22
• 2.2 傳輸線脈沖(TLP)波形的影響因素22-28
• 2.2.1 脈沖產(chǎn)生線L_1的影響23-24
• 2.2.2 繼電器的影響24-25
• 2.2.3 脈沖傳輸線L_2的影響25
• 2.2.4 負載電阻的影響25-27
• 2.2.5 示波器接地線的影響27-28
• 2.3 小結28-29
• 第三章 TLP發(fā)生器搭建及脈沖影響因素的測試29-37
• 3.1 傳輸線脈沖(TLP)發(fā)生器29-30
• 3.2 傳輸線脈沖(TLP)波形影響因素的測試30-36
• 3.2.1 脈沖產(chǎn)生線L_1的影響30-32
• 3.2.2 繼電器的影響32-34
• 3.2.3 脈沖傳輸線L_2的影響34
• 3.2.4 負載電阻的影響34-35
• 3.2.5 示波器接地線的影響35-36
• 3.3 小結36-37
• 第四章 測試用激勵探頭耦合模型及參數(shù)測試37-66
• 4.1 TLP測試用的激勵探頭37-38
• 4.2 S參數(shù)以及與Y參數(shù)、Z參數(shù)的關系38-41
• 4.2.1 S參數(shù)38-39
• 4.2.2 S參數(shù)與Y參數(shù)及Z參數(shù)的轉換關系39-41
• 4.3 探頭的耦合模型及其S參數(shù)測試41-64
• 4.3.1 水平磁場探頭42-48
• 4.3.2 垂直磁場探頭48-54
• 4.3.3 注入探頭54-59
• 4.3.4 電場探頭59-64
• 4.4 小結64-66
• 第五章 總結66-68
• 參考文獻68-72
• 致謝72-73
• 攻讀碩士學位期間發(fā)表論文情況73-75
• 學位論文評閱及答辯情況表75

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本文編號：1052420