發(fā)布時間：2017-10-15 15:43

  本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用于22nm及以下節(jié)點(diǎn)的極紫外光刻膠研究進(jìn)展

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【摘要】：極紫外光刻(EUVL)是最有希望用于22 nm及以下節(jié)點(diǎn)的下一代光刻技術(shù),光刻膠的性能與工藝是其關(guān)鍵技術(shù)之一。EUV光刻膠應(yīng)同時滿足高分辨率、低線邊緣粗糙度和高靈敏度的要求�；仡櫫藨�(yīng)用于22 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的EUV光刻膠的發(fā)展現(xiàn)狀和面臨的挑戰(zhàn),介紹了EUVL對光刻膠的基本要求以及分辨率、線邊緣粗糙度(LER)和靈敏度之間的平衡關(guān)系,闡述了LER的形成機(jī)理尤其是LER的降低,從產(chǎn)酸劑、吸收增強(qiáng)、分子尺寸的縮小、酸擴(kuò)增、酸的各向異性擴(kuò)散等材料設(shè)計(jì)方面總結(jié)了可能的光刻膠性能改進(jìn)方案,探討了EUV光刻膠未來的主要研究方向。
【作者單位】： 安慶師范學(xué)院物理與電氣工程學(xué)院;中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 極紫外光刻 光刻膠 平衡關(guān)系 材料設(shè)計(jì)
【分類號】：TN305.7
【正文快照】： 隨著集成電路特征尺寸進(jìn)入22 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn),現(xiàn)有光刻技術(shù)已越來越難以滿足光刻極限尺寸的生產(chǎn)要求。在半導(dǎo)體工業(yè)中,極紫外光刻(ex-treme ultraviolet lithography,EUVL)技術(shù)被國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展協(xié)會(ITRS)認(rèn)為是最有前景的下一代光刻技術(shù)[1—3],但是,EUV光刻技術(shù)中使用

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：1037974