一種驅(qū)動MOS管工作在飽和區(qū)的硅基OLED微顯示像素電路
本文關(guān)鍵詞:一種驅(qū)動MOS管工作在飽和區(qū)的硅基OLED微顯示像素電路
更多相關(guān)文章: 硅基OLED微顯示 像素驅(qū)動電路 脈寬調(diào)制(PWM) 驅(qū)動MOS管 飽和區(qū)
【摘要】:硅基OLED微顯示中為了在極小的像素面積內(nèi)實現(xiàn)微小的OLED工作電流,其像素驅(qū)動電路的驅(qū)動MOS管一般工作在亞閾值區(qū),存在OLED電流對驅(qū)動MOS管的閾值電壓和柵源電壓失配敏感、外圍電路復(fù)雜等問題,如果驅(qū)動MOS管工作在飽和區(qū)則可避免這些問題,但為了獲得微小的驅(qū)動電流,必須采用尺寸大的倒比MOS管,這又與極小的像素面積沖突。本文提出了一種采用脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)、驅(qū)動MOS管工作在飽和區(qū)的OLED微顯示像素驅(qū)動電路,PWM信號減少了一幀內(nèi)OLED的實際工作時間,OLED的脈沖電流變大,使驅(qū)動MOS倒比管的尺寸減小;由于PWM信號占空比小,同時實現(xiàn)了OLED微小的平均像素驅(qū)動電流和亮度。結(jié)果表明PWM信號占空比為3%時,實現(xiàn)的OLED驅(qū)動電流和像素亮度范圍分別為27pA~2.635nA、2.19~225.1cd/m~2,同時采用雙像素版圖共用技術(shù),在15μm×15μm的像素面積內(nèi)實現(xiàn)了像素驅(qū)動電路的版圖設(shè)計。
【作者單位】: 吉林大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院集成光電子學(xué)國家重點聯(lián)合實驗室吉林大學(xué)實驗區(qū);
【關(guān)鍵詞】: 硅基OLED微顯示 像素驅(qū)動電路 脈寬調(diào)制(PWM) 驅(qū)動MOS管 飽和區(qū)
【基金】:國家自然科學(xué)基金(No.61177025;No.61275024) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃項目(No.2010CB327701) 吉林省科技發(fā)展計劃項目(No.20130102009JC)~~
【分類號】:TN383.1
【正文快照】: 1引言微顯示器是一種物理尺寸僅為英寸量級,但可通過配套的光學(xué)系統(tǒng)實現(xiàn)大屏幕、高品質(zhì)顯示的集成器件,也是一種融光電器件、集成電路和光學(xué)系統(tǒng)于一體的精密綜合系統(tǒng)[1]。微顯示器具有重量輕、體積小、圖像分辨率高和功耗低等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用在近眼顯示和便攜式微型投影儀等
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 張躍軍;汪鵬君;;基于神經(jīng)MOS管的新型反相器設(shè)計[J];華東理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2009年03期
2 楊曙輝;仇玉林;;基于MOS管亞閾值特性的模擬譯碼器[J];微電子學(xué);2008年03期
3 張鐘宣,楊肇敏,張明寶,徐葭生;3μm工藝MOS管模型參量的實驗提取[J];微電子學(xué)與計算機;1986年03期
4 汪鵬君;郁軍軍;戴靜;黃道;;鐘控神經(jīng)MOS管的改進及其在多值電路中的應(yīng)用[J];電路與系統(tǒng)學(xué)報;2006年03期
5 馬中秋;夏繼軍;;基于MOS管低頻功率放大器的設(shè)計[J];黃岡職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報;2009年04期
6 從余;末級采用UHC—MOS管的無負反饋功率放大器[J];實用電子文摘;1996年04期
7 ;SGS-THOMSON公司功率MOS管選型指南[J];國外電子元器件;1997年04期
8 魏秀芳,張國恒;P溝道增強型MOS管的工作原理及特性曲線[J];甘肅高師學(xué)報;2002年05期
9 張躍軍;汪鵬君;;基于鐘控神經(jīng)MOS管的多值雙邊沿D觸發(fā)器設(shè)計[J];浙江大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版);2009年05期
10 ;[J];;年期
,本文編號:1033350
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/1033350.html