本文關(guān)鍵詞：銅鉬疊層基板的熱學(xué)特性仿真研究

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【摘要】：采用有限元方法,仿真研究了不同層數(shù)和材料厚度比的銅鉬疊層基板對(duì)芯片散熱特性的影響。結(jié)果表明,2層和3層的銅鉬疊層材料均可以有效綜合Cu高熱導(dǎo)率和Mo低膨脹系數(shù)的優(yōu)點(diǎn)。在相同銅鉬總厚度比的情況下,相比于2層材料,3層材料可以實(shí)現(xiàn)更好的散熱特性。對(duì)于1mm的基板厚度,銅鉬銅厚度比為0.2∶0.6∶0.2時(shí)可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)較低的溫度和熱應(yīng)力。通過調(diào)整基板結(jié)構(gòu)參數(shù),可以顯著改變芯片的最高溫度和最大熱應(yīng)力,滿足不同封裝領(lǐng)域的需求。
【作者單位】： 長(zhǎng)安大學(xué)電子與控制工程學(xué)院;長(zhǎng)安大學(xué)道路交通檢測(cè)與裝備工程技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 銅鉬疊層 基板 熱分析 有限元
【基金】：陜西省自然科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃項(xiàng)目(2015JM6357) 西安市科技局項(xiàng)目(CXY1441(9)) 國(guó)家級(jí)大學(xué)生創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)訓(xùn)練項(xiàng)目(201410710033,201510710126)
【分類號(hào)】：TN40
【正文快照】： 1前言隨著LED、電力電子以及集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展,半導(dǎo)體芯片的功率及工藝集成度不斷提高,芯片單位面積的發(fā)熱量不斷增大。如果芯片產(chǎn)生的熱量不能很好地散發(fā),會(huì)導(dǎo)致芯片溫度升高、電學(xué)性能退化,并加速老化、縮短使用壽命。同時(shí),由于不同材料的熱膨脹系數(shù)不匹配,會(huì)產(chǎn)生層間

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9 李oげ，

本文編號(hào)：1012944