本文關(guān)鍵詞：基于憶阻器的記憶元件模型的研究

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【摘要】：目前記憶元件包括憶阻器、憶容器和憶感器，它們的提出是對(duì)經(jīng)典電路理論的擴(kuò)充。記憶元件由于其獨(dú)特的記憶效應(yīng)，具有廣闊的應(yīng)用前景。受限于制造工藝，記憶元件現(xiàn)在還無(wú)法批量生產(chǎn)，對(duì)于這些元件的研究主要依賴于計(jì)算機(jī)輔助電路分析軟件。因此，各個(gè)元件的仿真模型成為了對(duì)此類元件進(jìn)行深入研究的基石。 本文首先全面探討了不同記憶元件之間線性變換的轉(zhuǎn)換條件，然后基于這些轉(zhuǎn)換條件構(gòu)造了憶阻-憶容、憶阻-憶感、憶容-憶感和憶容-憶阻轉(zhuǎn)換電路，并用這些轉(zhuǎn)換電路構(gòu)成了不同的記憶元件模型。PSpice仿真實(shí)驗(yàn)表明所構(gòu)造的模型中憶阻器的i-v曲線、憶容器的q-v曲線和憶感器的i-曲線均為遲滯回線，且激勵(lì)信號(hào)的頻率變大會(huì)使記憶元件的遲滯回線的收縮程度變大，這些結(jié)果驗(yàn)證了本文所提出的記憶元件模型的正確性。此外，為了便于將各個(gè)記憶元件的模型應(yīng)用到實(shí)際電路中，本文還介紹了用憶阻值控制電路來控制各個(gè)記憶元件模型取值的方法，一系列的實(shí)驗(yàn)表明各個(gè)記憶元件具有較大的取值范圍。 更進(jìn)一步的，本文還探討了記憶元件之間相互非線性變換的轉(zhuǎn)換條件，并且構(gòu)造了非線性的憶阻-憶容和憶阻-憶感轉(zhuǎn)換電路，并且用PSpice仿真軟件分析了基于非線性變換的憶容器和憶感器的相關(guān)特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這兩個(gè)記憶元件也具有遲滯回線特性，且遲滯回線會(huì)發(fā)生偏移，，從而證明了本文所提出的基于非線性變換的憶容器和憶感器模型的正確性，并且發(fā)現(xiàn)外加信號(hào)可以控制憶容器和憶感器的取值，它們的這一特性具有廣泛的應(yīng)用前景。
【關(guān)鍵詞】：憶阻器 憶容器模型 憶感器模型 PSpice
【學(xué)位授予單位】：武漢科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TM54
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-8
• 第1章 緒論8-12
• 1.1 對(duì)記憶系元件的模型進(jìn)行研究的意義8-9
• 1.2 基于憶阻器的記憶元件模型的研究現(xiàn)狀9-10
• 1.3 本文的創(chuàng)新點(diǎn)與主要工作安排10-12
• 第2章 記憶元件相互轉(zhuǎn)換的條件12-22
• 2.1 記憶元件的特性12-16
• 2.1.1 記憶元件的符號(hào)、定義與分類12-14
• 2.1.2 記憶元件的特性14-16
• 2.2 憶阻器與憶容器之間轉(zhuǎn)換條件的分析16-18
• 2.3 記憶元件之間轉(zhuǎn)換條件的分析18-21
• 2.4 本章小結(jié)21-22
• 第3章 線性變換的記憶元件模型22-38
• 3.1 電流傳輸器簡(jiǎn)介22
• 3.2 憶阻器構(gòu)造的憶容器22-25
• 3.2.1 憶阻-憶容轉(zhuǎn)換電路23-24
• 3.2.2 憶容器的基本特性24
• 3.2.3 憶容器的階躍響應(yīng)特性24-25
• 3.3 憶阻器構(gòu)造的憶感器25-28
• 3.3.1 憶阻-憶感轉(zhuǎn)換電路25-26
• 3.3.2 憶感器的基本特性26-27
• 3.3.3 憶感器的階躍響應(yīng)特性27-28
• 3.4 憶容器構(gòu)造的憶感器28-31
• 3.4.1 憶容-憶感轉(zhuǎn)換電路28-29
• 3.4.2 憶感器的基本特性29-30
• 3.4.3 憶感器的階躍響應(yīng)特性30-31
• 3.5 憶容器構(gòu)造的憶阻器31-33
• 3.5.1 憶容-憶阻轉(zhuǎn)換電路31-32
• 3.5.2 憶阻器的基本特性32
• 3.5.3 憶阻器的斜坡信號(hào)響應(yīng)特性32-33
• 3.6 憶容值和憶感值的控制與調(diào)整33-37
• 3.6.1 憶阻器的憶阻值控制電路33-34
• 3.6.2 基于憶阻器的憶容器取值的調(diào)整34-35
• 3.6.3 基于憶阻器的憶感器取值的調(diào)整35-36
• 3.6.4 基于憶容器的憶感器的取值的調(diào)整36-37
• 3.7 本章小結(jié)37-38
• 第4章 非線性變換的記憶元件模型38-49
• 4.1 基于非線性變換的憶阻-憶容轉(zhuǎn)換38-44
• 4.1.1 CCMR-VCMC 的非線性轉(zhuǎn)換條件38-39
• 4.1.2 CCMR-VCMC 的非線性轉(zhuǎn)換電路39-40
• 4.1.3 憶容器模型的特性分析40-44
• 4.2 基于非線性變換的憶阻-憶感轉(zhuǎn)換44-48
• 4.2.1 CCMR-FCML 的非線性轉(zhuǎn)換條件44
• 4.2.2 CCMR-FCML 的非線性轉(zhuǎn)換電路44-45
• 4.2.3 憶感器模型的特性分析45-48
• 4.3 本章小結(jié)48-49
• 第5章 總結(jié)與展望49-51
• 5.1 總結(jié)49
• 5.2 展望49-51
• 致謝51-52
• 參考文獻(xiàn)52-55
• 附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果55-56
• 詳細(xì)摘要56-60

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 曹新亮;;憶阻-電容等效憶感器的有源回轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)及其特性仿真[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2014年02期

2 李超輩;李傳東;張金鋮;;基于憶容橋的突觸電路研究[J];計(jì)算機(jī)工程;2013年12期

3 李程;;基于憶阻器的無(wú)源低通濾波電路研究[J];聲學(xué)與電子工程;2012年01期

本文編號(hào)：983984