本文關(guān)鍵詞：晶體硅光陷阱結(jié)構(gòu)制備及其抗反射性能研究

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【摘要】：表面光陷阱結(jié)構(gòu)對(duì)太陽(yáng)能電池是非常重要的,其作用是提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本文制備了單晶硅絨面結(jié)構(gòu)、硅倒金字塔結(jié)構(gòu)和宏孔硅陣列結(jié)構(gòu)三種光陷阱結(jié)構(gòu),系統(tǒng)地研究了不同工藝條件對(duì)三種光陷阱結(jié)構(gòu)的影響,分析了表面光陷阱結(jié)構(gòu)與其抗反射性能的關(guān)系。單晶硅制絨實(shí)驗(yàn)中,研究了IPA(異丙醇)濃度,反應(yīng)溫度和腐蝕時(shí)間對(duì)絨面結(jié)構(gòu)的影響。最后確定的最佳工藝參數(shù)為:NaOH的濃度為2wt%,IPA的濃度為12wt%,在80℃的恒溫下,腐蝕50min。得到尺寸均勻,覆蓋率高,形貌理想,具有較高抗反射性能的單晶硅絨面光陷阱結(jié)構(gòu)。制備倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)過(guò)程中,研究了反應(yīng)溫度和腐蝕時(shí)間對(duì)倒金字塔結(jié)構(gòu)的影響。對(duì)比不同倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射性能發(fā)現(xiàn):尺寸相同,排列方式不同的倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射能力相同;對(duì)于面積相同的樣品,倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)的圖形面積占總樣品面積的比例越大,抗反射性能越好。采用光電化學(xué)腐蝕的方法制備宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu),研究了腐蝕電壓和表面活性劑對(duì)宏孔硅結(jié)構(gòu)的影響。對(duì)比不同宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)的抗反射性能發(fā)現(xiàn):對(duì)于孔深相同的宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu),表面上孔隙率越大,其抗反射性能越強(qiáng)。
【關(guān)鍵詞】：太陽(yáng)能電池 光陷阱結(jié)構(gòu) 反射率 單晶硅絨面 倒金字塔 宏孔硅
【學(xué)位授予單位】：長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-8
• 第一章 緒論8-16
• 1.1 太陽(yáng)能電池概述8-13
• 1.1.1 太陽(yáng)能電池發(fā)展?fàn)顩r8-11
• 1.1.2 太陽(yáng)能電池原理11-13
• 1.2 表面光陷阱結(jié)構(gòu)在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用13-14
• 1.2.1 表面光陷阱結(jié)構(gòu)的起源13
• 1.2.2 表面光陷阱結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)13-14
• 1.3 本論文主要的研究?jī)?nèi)容14-16
• 第二章 單晶硅絨面光陷阱結(jié)構(gòu)制備及其抗反射性能的研究16-28
• 2.1 單晶硅絨面陷光原理16-17
• 2.2 單晶硅絨面光陷阱結(jié)構(gòu)的制備17-19
• 2.2.1 單晶硅制絨原理17
• 2.2.2 單晶硅制絨實(shí)驗(yàn)材料與設(shè)備17-18
• 2.2.3 制絨前硅片清洗18-19
• 2.2.4 單晶硅絨面腐蝕19
• 2.3 單晶硅絨面光陷阱結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析19-27
• 2.3.1 異丙醇濃度對(duì)絨面制備的影響21-23
• 2.3.2 反應(yīng)溫度對(duì)絨面制備的影響23-25
• 2.3.3 腐蝕時(shí)間對(duì)絨面制備的影響25-27
• 2.4 本章小結(jié)27-28
• 第三章 倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)制備及其抗反射性能的研究28-39
• 3.1 單晶硅倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介28-29
• 3.2 硅倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)制備29-36
• 3.2.1 制備硅倒金字塔結(jié)構(gòu)所需材料和設(shè)備30
• 3.2.2 制備硅倒金字塔結(jié)構(gòu)前硅片準(zhǔn)備30-31
• 3.2.3 掩膜圖形制備31-34
• 3.2.4 倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)腐蝕34-36
• 3.3 倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)抗反射性能的研究36-37
• 3.4 倒金字塔光陷阱結(jié)構(gòu)工藝改進(jìn)37
• 3.5 本章小結(jié)37-39
• 第四章 宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)制備及其抗反射性能研究39-51
• 4.1 宏孔硅孔光陷阱結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介39-40
• 4.2 宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)制備40-44
• 4.2.1 制備宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)所需材料和設(shè)備41
• 4.2.2 制備宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)前硅片準(zhǔn)備41
• 4.2.3 歐姆接觸制備41-42
• 4.2.4 誘導(dǎo)坑制備42-43
• 4.2.5 光電化學(xué)腐蝕宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)43-44
• 4.3 電壓對(duì)孔道形貌的影響44-45
• 4.4 腐蝕液中表面活性劑的影響45-46
• 4.5 宏孔硅光陷阱結(jié)構(gòu)樣品抗反射性能的研究46-49
• 4.6 不同光陷阱結(jié)構(gòu)抗反射性能的對(duì)比49
• 4.7 本章小結(jié)49-51
• 結(jié)論51-52
• 致謝52-53
• 參考文獻(xiàn)53-56
• 發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明56

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前5條

1 趙孟鋼;;二氧化硅的氫氟酸緩沖腐蝕研究[J];科技信息;2013年13期

2 劉晶;;走出寒冬——2012年多晶硅光伏市場(chǎng)回顧及展望[J];中國(guó)有色金屬;2013年04期

3 肖俊峰;汪雷;楊德仁;;表面損傷對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池制絨的影響[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);2010年10期

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5 崔容強(qiáng),秦蕙蘭;絨面硅太陽(yáng)電池的研究[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);1980年02期

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本文編號(hào)：965860