本文關鍵詞：真空中納秒脈沖下絕緣子表面電荷積聚對表面電場的影響

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【摘要】：真空絕緣子表面電荷的積聚會改變電場分布,影響絕緣子的閃絡電壓。為了量化研究表面電荷積聚對表面電場的影響程度,本文采用靜電探頭法測量了真空中納秒脈沖作用下多種陶瓷絕緣子表面電荷的二維分布,并結合掃描電子顯微鏡獲得的絕緣子表面微觀形貌特征分析了不同試品表面電荷積聚存在差異的原因。提出了一種由表面電荷測量結果求得表面電荷引起的電場的計算方法,與軟件仿真得到的脈沖電壓產生的電場相結合,量化了表面電荷積聚對表面電場的影響程度。研究結果顯示,表面電荷對絕緣子表面電場有增強或削弱作用,大部分情況會增強電場,最大增強程度可達近2倍。閃絡試驗結果證實表面電荷的積聚會降低絕緣子的閃絡電壓。因此要盡量選擇表面電荷積聚少的真空絕緣材料,以提高絕緣強度。
【作者單位】： 華北電力大學高電壓與電磁兼容北京市重點實驗室;華北電力大學新能源電力系統(tǒng)國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 納秒脈沖 真空 電荷積聚 靜電探頭 電場分布 沿面閃絡
【分類號】：TM216
【正文快照】： 真空絕緣子在航空航天、脈沖功率技術等領域中有廣泛的應用。加入絕緣子后的絕緣強度遠小于相同大小的純真空間隙或固體絕緣子本身的絕緣強度[1]。據(jù)報道,美國斯坦福大學線性加速器中心的速調管、日本高能物理國家實驗室中的加速器及美國能源部CEBAF的加速器都曾發(fā)生過由于真

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本文編號：950031