本文關(guān)鍵詞：氨水濃度對(duì)化學(xué)水浴法制備CdS緩沖層及CZTSe電池性能的影響

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【摘要】：主要研究了化學(xué)水浴法沉積CdS薄膜中氨水濃度對(duì)薄膜材料特性的影響。通過(guò)X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和分光光度計(jì)(UV-Vis)等測(cè)試手段對(duì)制備的CdS薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:不同的氨水濃度條件下均得到立方相CdS薄膜,薄膜沿(111)面擇優(yōu)取向生長(zhǎng)。隨著氨水濃度增加時(shí)CdS薄膜表面逐漸變得致密光滑,CdS薄膜的透過(guò)率增強(qiáng)和帶隙變寬。在氨水濃度為0.10 mol/L時(shí)制備出材料特性最佳的CdS薄膜,其表面緊湊致密無(wú)針孔,顆粒大小均勻,將其應(yīng)用于CZTSe薄膜太陽(yáng)電池中的緩沖層材料,得到光電轉(zhuǎn)化效率為3.12%的CZTSe薄膜太陽(yáng)電池(該電池未經(jīng)任何后硒化處理工藝)。
【作者單位】： 南開(kāi)大學(xué)光電子薄膜器件與技術(shù)研究所天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室光電信息技術(shù)科學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 化學(xué)水浴法 氨水濃度 CZTSe太陽(yáng)電池
【基金】：教育部博士點(diǎn)基金(20120031110039)
【分類號(hào)】：O484.1;TM914.4
【正文快照】： (Received 7 June 2015,accepted 21 October 2015)1引言銅基化合物銅鋅錫硒Cu2(Zn,Sn)Se4(CZTSe)由于組成元素豐富、成本低廉,而且具有與CIGS相似的晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì),近兩年引起了人們的關(guān)注[1,2]。CZTSe電池中,由于吸收層CZTSe帶隙和晶格常數(shù)與窗口層Zn O不匹配,嚴(yán)重影響

【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 王威;沈鴻烈;姚函妤;陳潔儀;李玉芳;;硫源種類對(duì)微波合成CZTS顆粒與薄膜性能的影響[J];南京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào);2015年05期

2 謝敏;莊大明;趙明;莊作隆;郭力;李博建;宋軍;;預(yù)制膜成分對(duì)銅鋅錫硫薄膜特性的影響[J];太陽(yáng)能學(xué)報(bào);2013年12期

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 賀顯聰;Cu_2ZnSnS_4光電薄膜的電沉積制備與物理性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2012年

2 江豐;Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太陽(yáng)電池的濺射法制備和性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2012年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 方云霞;水熱法制備Cu_2ZnSnS_4半導(dǎo)體納米晶材料的研究[D];華南理工大學(xué);2013年

2 張炯;Cu_2SnS_3類化合物的溶劑熱法合成及其性能研究[D];電子科技大學(xué);2013年

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 趙紅娟;范麗鑫;康艷紅;;氨水吸收重金屬能力的測(cè)試與評(píng)估[J];科協(xié)論壇(下半月);2012年09期

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 劉佳明;銅冶煉廠氨站測(cè)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究[D];昆明理工大學(xué);2013年

2 曾金玉;氧化鈮粉體物性控制研究[D];江西理工大學(xué);2009年

3 晏飛來(lái);基于玉米秸稈乙醇化的氨化預(yù)處理與酶解工藝研究[D];西南大學(xué);2010年

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本文編號(hào)：775402