本文關鍵詞：鍵合的雙結太陽電池研究

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【摘要】：論述鍵合的雙結GaAs/InGaAs太陽電池的研制,界面采用p~(++)GaAs/n~(++)GaAs隧穿結,開路電壓大于1.15 V,效率比國際報道的同類鍵合兩結電池提高0.3%,電池表面未做減反膜。開路電壓表明兩結電池可實現(xiàn)串聯(lián),為單片集成的高效多結電池提供新的途徑,通過分析電池效率性能提出進一步提高效率的技術方案。
【作者單位】： 中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室;
【關鍵詞】： 鍵合 多結太陽電池 晶格失配 界面
【基金】：中國科學院知識創(chuàng)新工程重要方向項目(09JA041001)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 0引言以III-V族化合物為代表的太陽電池備受關注,因這種化合物材料具有較高的光電轉換效率、良好的晶體質(zhì)量和可供調(diào)節(jié)的帶隙等優(yōu)點,目前是各國研制高轉換空間太陽電池的首選[1]。從材料的成本看,III-V族化合物的成本比Si高,但據(jù)B.T.Debney等[2]的分析,在地面高聚光度下使用Ga

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1 劉如彬;王帥;孫強;孫彥錚;;晶格失配GaAs太陽電池的漸變緩沖層生長技術研究[A];第十一屆全國MOCVD學術會議論文集[C];2010年

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本文編號：694564