本文關(guān)鍵詞：受主型雜質(zhì)對p型單晶硅中少子衰減過程的影響

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【摘要】：少子壽命測試技術(shù)是監(jiān)控單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的數(shù)量及性質(zhì)的重要技術(shù)手段�；诔Ｒ�(guī)光電導(dǎo)少子壽命測試的基本參數(shù),研究了不同性質(zhì)的受主型雜質(zhì)缺陷對太陽電池用p型單晶硅中少子衰減過程的影響,并重點分析了僅存在受主型電子陷阱或復(fù)合中心時,少子衰減過程的變化規(guī)律;受主型電子陷阱和復(fù)合中心并存時,少子衰減過程的變化規(guī)律。研究表明:p型單晶硅中僅存在電子陷阱或復(fù)合中心時,二者的密度和俘獲截面越小,少子壽命越長,且二者均存在一個最小閾值;當(dāng)二者并存時,少子電子的衰減過程可根據(jù)少子壽命值的不同分成不同的衰減區(qū)域。
【作者單位】： 渤海大學(xué)新能源學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： p型單晶硅 少子壽命 電子陷阱 復(fù)合中心 雜質(zhì)和缺陷密度 俘獲截面
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11304020) 遼寧省教育廳一般項目資助項目(L2012401)
【分類號】：TM914.4;TN304.12
【正文快照】： 0引言少子壽命是衡量半導(dǎo)體材料制備和加工過程中工藝質(zhì)量的基本參數(shù),也是半導(dǎo)體材料投產(chǎn)前必檢的基本參數(shù)之一[1]。在半導(dǎo)體材料中,出現(xiàn)雜質(zhì)和缺陷不可避免,而少子壽命就是半導(dǎo)體材料內(nèi)雜質(zhì)和缺陷的綜合反映,所以監(jiān)測工藝過程中的少子壽命值及其變化規(guī)律,可為工藝步驟優(yōu)化和

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本文編號：670199