本文關(guān)鍵詞：GIS隔離開關(guān)操作產(chǎn)生的殼體電位升高和VFTO關(guān)系

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【摘要】：氣體絕緣開關(guān)設(shè)備(GIS)中的隔離開關(guān)操作,會產(chǎn)生特快速瞬態(tài)過電壓(VFTO)和殼體電位升高(TEV)等問題。該研究旨在通過試驗方法研究TEV和VFTO之間的關(guān)系,并分析TEV在GIS回路中的形成原因和傳播規(guī)律。研究中,首先利用自制的TEV和VFTO測量系統(tǒng),在武漢特高壓交流試驗基地對GIS隔離開關(guān)操作時產(chǎn)生的TEV和VFTO波形進行了測量。從暫態(tài)波形時間對應角度分析,所有統(tǒng)計的時間偏差均在[-90μs,20μs]的區(qū)間內(nèi),證明了2者在時序上的對應關(guān)系;從幅值比例關(guān)系角度,使用Spearman相關(guān)系數(shù)分析,證明了TEV波形上的脈沖電壓與隔離開關(guān)斷口間的擊穿電壓滿足正比單值函數(shù)關(guān)系。通過引入比例系數(shù),分析了試驗回路上不同位置處的TEV幅值,從試驗角度驗證了行波傳輸理論對TEV成因的解釋。該研究還給出了通過少量現(xiàn)場試驗確定某一位置最大TEV的方法,估算試驗回路中可能出現(xiàn)的TEV最大值為51.37 k V,這一估算方法能夠為TEV的理論分析和仿真計算提供支持。
【作者單位】： 清華大學電機工程與應用電子技術(shù)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備控制和仿真國家重點實驗室;國家電網(wǎng)公司;
【關(guān)鍵詞】： 氣體絕緣開關(guān)設(shè)備 殼體電位升高 特快速瞬態(tài)過電壓 隔離開關(guān) 相關(guān)分析 比例系數(shù)
【基金】：國家自然科學基金(51277106) 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃)(2011CB209405)~~
【分類號】：TM564.1
【正文快照】： Relationship Between Transient Enclosure Voltage and Very Fast Transient Overvoltage Gen-erated During Disconnector Operations in Gas Insulated SwitchgearGUAN Yonggang1,CAI Yuanji1,LIU Weidong1,CHEN Weijing2(1.State Key Laboratory of Control and Simulati

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本文編號：665471