本文關(guān)鍵詞：晶體硅光伏組件抗PID機(jī)理研究

  更多相關(guān)文章： 晶體硅光伏組件 電位誘發(fā)衰減 機(jī)理 抗PID光伏組件

【摘要】：從封裝材料和電池片兩方面對引發(fā)晶體硅光伏組件的電位誘發(fā)衰減現(xiàn)象的主要因素進(jìn)行研究,通過實(shí)驗(yàn)分析得出引起該現(xiàn)象的關(guān)鍵因素和產(chǎn)生機(jī)理。通過優(yōu)化電池片工藝及優(yōu)化封裝材料兩種措施來消除該因素的影響,最終通過改變封裝材料和優(yōu)化電池片表面鈍化層的方式分別制備兩類具有抗電位誘發(fā)衰減性能的晶體硅光伏組件,其在-1000 V、85℃、85%相對濕度條件下大于1000 h的測試后,兩類組件功率衰減都小于3%,組件的電位誘發(fā)衰減現(xiàn)象得以消除,光伏組件的抗電位誘發(fā)衰減性能大幅提升。
【作者單位】： 連云港神舟新能源有限公司;上海航天汽車機(jī)電股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 晶體硅光伏組件 電位誘發(fā)衰減 機(jī)理 抗PID光伏組件
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 0引言電位誘發(fā)衰減(PID),最早由Sunpower公司在2005年發(fā)現(xiàn)[1]。PID是指組件長期在高電壓作用下使玻璃、封裝材料之間存在漏電流,導(dǎo)致組件性能低于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。2010年,美國國家能源部可再生能源實(shí)驗(yàn)室和Solon公司研究發(fā)現(xiàn)采用P型晶硅電池片制備的組件在負(fù)偏壓下均存在PID現(xiàn)象[2]

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【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：653076