本文關(guān)鍵詞：一個(gè)分?jǐn)?shù)階憶阻器模型及其簡單串聯(lián)電路的特性

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【摘要】：憶阻器是具有時(shí)間記憶特性的非線性電阻.經(jīng)典HPTiO_2憶阻器模型的憶阻值為此前通過憶阻器電流的時(shí)間積分,即記憶沒有損失.而最近研究證實(shí)HPTiO_2線性憶阻器摻雜層厚度不能等于零或者器件整體厚度,導(dǎo)致器件的記憶有損失.基于此發(fā)現(xiàn),本文首先提出了一個(gè)階數(shù)介于0與1間的分?jǐn)?shù)階HPTiO_2線性憶阻器模型,研究了當(dāng)受到周期外激勵(lì)時(shí),分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)的階數(shù)對其憶阻值動(dòng)態(tài)范圍和輸出電壓動(dòng)態(tài)幅值的影響規(guī)律,推導(dǎo)出了磁滯旁瓣面積的計(jì)算公式.結(jié)果表明,分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)階數(shù)對磁滯回線的形狀及所圍成區(qū)域面積有重要影響.特別地,在外激頻率大于1時(shí),分?jǐn)?shù)階憶阻器的記憶強(qiáng)度達(dá)到最大.然后討論了此分?jǐn)?shù)階憶阻器與電容或電感串聯(lián)組成的單口網(wǎng)絡(luò)的伏安特性.結(jié)果表明,在周期激勵(lì)驅(qū)動(dòng)時(shí),隨著分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)階數(shù)的變化,此分?jǐn)?shù)階憶阻器與電容的串聯(lián)電路呈現(xiàn)出純電容電路與憶阻電路的轉(zhuǎn)換,而它與電感的串聯(lián)電路則呈現(xiàn)出純電感電路與憶阻電路的轉(zhuǎn)換.
【作者單位】： 南京航空航天大學(xué)機(jī)械結(jié)構(gòu)力學(xué)與控制國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;常州大學(xué)數(shù)理學(xué)院;解放軍理工大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 憶阻器 滯回線 記憶損失 分?jǐn)?shù)階導(dǎo)數(shù)
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:11372354)資助的課題~~
【分類號】：TM54
【正文快照】： 1引言憶阻器是無源二端非線性電路元件,其理論模型最早由加州大學(xué)蔡少棠教授在1971年依據(jù)電路變量關(guān)系的完備性而提出,即理論上存在體現(xiàn)磁通量與電量間關(guān)系的電路元件,稱之為憶阻器[1],之后憶阻元件的概念又被擴(kuò)展到不僅限于磁通量與電量關(guān)系的憶阻系統(tǒng)[2].由于沒有找到對應(yīng)的

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10 朱兆e，

本文編號：588934